Неограниченный кристалл

Cтраница 2

В главе 7 при рассмотрении вопросов дифракции излучения на кристаллах указывалось, что при рассеянии на неограниченном кристалле возникают узкие дифракционные максимумы, положение которых определяется в соответствии с формулой Вульфа - Брэгга межплоскостными расстояниями, а ширина - размером кристалла. В весьма грубой модели картину дифракции на аморфных материалах можно рассматривать как происходящую на совокупности ультрамалых беспорядочно ориентированных кристаллитов ( см. рис. 12.2, а), и поэтому узкие дифракционные максимумы при переходе к рассеянию аморфными материалами должны трансформироваться в широкие диффузные гало. Такой подход позволяет качественно объяснить характер дифракционной картины от аморфных веществ, однако даже при исследовании структуры аморфных материалов с помощью наиболее высокоразрешающего метода - дифракции электронов - узкие дифракционные максимумы обнаружить не удалось. По этой причине модель аморфных материалов как ультрамикрокристаллических веществ далеко не всегда считается справедливой. [16]

В результате выясняется, что адсорбция атома индуцирует поверхностные состояния, которые располагаются выше соответствующей нормальной зоны неограниченного кристалла. Относящиеся к ним волновые функции не являются периодическими ни в одном направлении и быстро убывают при удалении от адсорбированного атома. Если адсорбированы два атома и они находятся на конечном расстоянии друг от друга, то волновые функции четны по одну сторону от середины расстояния между этими. Это указывает на существование четных и нечетных локализованных состояний, которые находятся над объемной энергетической зоной. Когда расстояние между адсорбированными атомами достаточно велико, то те и другие состояния образуют дважды вырожденные состояния. При сокращении расстояния между адсорбированными атомами данные энергетические уровни расщепляются. [17]

Метод Лауэ является единственным способом определения выходов кристаллографических осей в том случае, когда приходится иметь дело с неограниченным кристаллом. [18]

Структура ПВМС. [19]

Вместе с тем граничные условия существенно влияют на форму передаточной характеристики при малых пространственных частотах и особенно в случае продольного электрооптического эффекта, для которого при неограниченном кристалле пространственная модуляция света вообще невозможна. Диэлектрическую проницаемость слоя 1 обозначим 8j, слоя 2 - е2, а толщины слоев - dj и d2 соответственно. Систему координат выберем так, чтобы ее начало по оси z, которая перпендикулярна к плоскости электродов, совпало с границей раздела между слоями диэлектрика. [20]

Волновая функция (7.115) должна быть конечной. В неограниченном кристалле это условие выполняется, когда k вещественно. В ограниченном кристалле решение (7.115) следует сшить в плоскости х0 с решением в области вакуума. [21]

Обработка экспериментальных данных для участка небольших длин двойников ( L 0 45 см) показывает ( рис. 4.23), что дислокационное описание динамики выхода упругого двойника из кристалла в диапазоне больших скоростей движения хорошо описывает этот процесс. Следует иметь в виду, что соотношение (3.73) получено для двойника в неограниченном кристалле; эти результаты без изменения могут быть также перенесены на двойник вблизи поверхности, образованный винтовыми дислокациями. [22]

Все энергетические уровни, разрешенные в полупроводниковом кристалле неограниченных размеров, разрешены и в ограниченном кристалле. Обрыв решетки приводит лишь к тому, что вблизи поверхности кристалла появляются разрешенные дискретные энергетические уровни или зоны в тех областях энергии, которые запрещены для неограниченного кристалла. Электроны, занимающие эти уровни, не - могут проникать внутрь кристалла и локализуются у его поверхности. Такие уровни называются поверхностными или уровнями Тамма. Поверхностные уровни могут служить донорами, акцепторами и центрами прилипания. Заполнение акцепторных уровней означает локализацию электронов, а удаление электронов с донорных уровней - локализацию дырок на этих уровнях, в результате чего происходит заряжение поверхности отрицательным или положительным зарядом. В соответствии с условием электрической нейтральности оно должно сопровождаться возникновением в приповерхностном слое объемного заряда, нейтрализующего поверхностный заряд. Это осуществляется притяжением к поверхности носителей заряда со знаком, противоположным знаку заряда на поверхности, и отталкиванием носителей заряда одного знака. В результате приповерхностный слой полупроводника оказывается обедненным носителями заряда одного знака с поверхностным зарядом и обогащенным носителями заряда противоположного знака. [23]

Поэтому для количественного сравнения результатов эксперимента с выводами теории необходимо иметь соответствующие формулы для двойников в ограниченных кристаллах, т.е. для ситуаций, максимально приближающихся к условиям опыта. Но помимо такой чисто прикладной стороны вопроса рассмотрение двойников в ограниченном кристалле имеет важное принципиальное значение для изучения качественно новых свойств двойников, отсутствующих у таковых в неограниченном кристалле. [24]

Итак, модель Эйнштейна, рассматривающая каждый атом в решетке как независимый осциллятор, недостаточно полно описывает решеточную теплоемкость кристалла в области низких температур. Предположение о том, что все осцилляторы в твердом теле имеют одну и ту же частоту, является результатом чрезмерного упрощения представлений о реальных колебаниях в решетке. Поскольку в реальном спектре колебаний неограниченного кристалла всегда представлены собственные колебания, для которых им КГ ( даже при Т 0Э), то длинноволновые колебания будут существенными для теплоемкости даже при самых низких температурах. [25]

Данная глава рассказывает о современном состоянии исследований свойств хемосорбированного водорода. Эта область науки в значительной мере обязана своими успехами последним достижениям техники получения ультравысокого вакуума, способной обеспечить чистоту поверхностей адсорбентов, а также квантовомеханическим и статистико-термодинамическим методам получения надежной информации о хемосорбированном состоянии. Обзор теоретических исследований хемосорбированного состояния начинается с традиционного рассмотрения электронной структуры неограниченного кристалла. Хемосорбция водорода на собственных полупроводниках, таких, как Ge и Si, или на примесных полупроводниках, таких, как ZnO, обсуждается в § 3 с учетом поверхностных состояний. [26]

При теоретическом рассмотрении границы раздела кристалл - вакуум может возникнуть опасение, что ввиду малой, порядка периодов решетки, длины волны рентгеновских лучей реальная структура поверхности, с ее ступеньками, окисными или адсорбированными пленками и другими отклонениями от идеализированной картины, может внести существенное искажение в схему граничных условий. Однако вопрос решается опытом. По-видимому, схема, использующая математическую границу кристалл - вакуум, хорошо согласуется с имеющимися экспериментальными данными. Таким образом, мы переходим от неограниченного кристалла к полубесконечному кристаллу. [27]

Допустим, что электрон имеет энергию, попадающую в одну из разрешенных зон неограниченного кристалла. При этом - ф-функция (7.115) конечна для любых значений коэффициентов. Остается только выполнить условия. Это означает, что все энергетические уровни, которые являются разрешенными в неограниченном кристалле, оказываются разрешенными и в кристалле, ограниченном поверхностью. [28]

Страницы: 1 2