Наиболее крупный кристалл

Cтраница 2

В тех случаях, когда требуется крупнокристаллический продукт, а диапазон размеров кристаллов в суспензии и их относительные скорости осаждения велики, трудно подобрать такую скорость циркуляции, при которой наиболее крупные кристаллы поддерживались бы во взвешенном состоянии в нижнем слое суспензии. При этом одновременно не должно происходить уноса в циркуляционный контур мелких кристаллов, находящихся в верхней части взвешенного слоя. [16]

В боковой зоне кристаллы берилла становятся постепенно более грубозернистыми по направлению к центру жилы. Наиболее крупные кристаллы, достигающие 30 5 см в диаметре и длиной 30 5 см или более, могут быть легко отобраны вручную. [17]

Технологическая схема вакуум-кристаллизатора Кристалл, используемого для получения карбамида.| Технологическая схема двухступенчатого вакуум-кристаллизатора Кристалл для кристаллизации бензойной кислоты из водного раствора. [18]

В результате размер получаемых кристаллов уменьшится. Опыт показывает, что в таких кристаллизаторах наиболее крупные кристаллы образуются при минимальном содержании мелкой соли, циркулирующей вместе с маточным раствором. [19]

В аппаратах небольших размеров для создания циркуляции могут быть использованы быстроходные пропеллерные мешалки. Спускная труба 2 служит для отвода из аппарата наиболее крупных кристаллов, мелкие же кристаллы уносятся обратно в циркуляционный контур восходящим потоком питающего раствора. Нижняя часть отмучивающего колена служит для улавливания сравнительно больших кусков соли, которые могут отваливаться с внутренних стенок аппарата и периодически выгружаться через нижний штуцер. [20]

Образование крупных кристаллов на поверхности медц в результате восстановления окисных пленок прямо указывает на природу мостиков ( перемычек), обнаруженных нами при низких температурах спекания. Эти мостики представляют собой не что иное, как наиболее крупные кристаллы, возникшие на поверхности частиц медного порошка при нагревании их в восстановительной атмосфере и уже видимые при большом увеличении в обычном металломикроскопе. [21]

Во-первых, скорость циркуляции должна значительно превышать скорость гравитационного осаждения наиболее крупных кристаллов. Во-вторых, с увеличением скорости движения раствора уменьшается вероятность образования инкрустаций на стенках аппарата, но зато увеличивается механическое истирание кристаллов. В-третьих, с увеличением w возрастает сопротивление циркуляционного контура и уменьшается коэффициент инжекции струйного насоса [78, 79], а следовательно, увеличивается перегрев раствора и его пересыщение при кристаллизации. [22]

Верхняя зона состоит в основном из легколетучих примесей магния. Во второй зоне сверху содержание примесей невелико, в третьей зоне - наиболее крупные кристаллы магния высокой чистоты, содержание магния 99 99 % и более. В нижней части магний загрязнен примесями, имеющими низкую упругость пара. Наиболее чистый магний отделяют и переплавляют. Оптимальная температура в зоне конденсации наиболее чистого магния находится в пределах 450 - 500 С. В табл. 49 приведен состав рафинированного металлического магния. [23]

Места возможного задерживания кристаллов вследствие частичного открывания вентилей. [24]

Простым и надежным методом непрерывной выгрузки является сифон, который рассчитывается таким образом, чтобы скорость потока в его восходящей ветви была достаточно высокой для поддержания во взвешенном состоянии самых крупных кристаллов. Если скорость осаждения кристаллов высока, а скорость восходящего потока суспензии слишком мала, то наиболее крупные кристаллы не удаляются из аппарата, а продолжают в нем расти. Поэтому сифон более удобно использовать тогда, когда плотности кристаллов и маточного раствора почти не отличаются друг от друга. [25]

За рубежом [101, 102] применяется несколько видоизмененная конструкция выпарных аппаратов с принудительной циркуляцией и выносной нагревательной камерой. Ее особенностью ( рис. 122) является наличие отмучивающего колена, через которое выгружаются только наиболее крупные кристаллы, мелкие же уносятся восходящим потоком питающего раствора обратно в циркуляционный контур для дальнейшего роста. [26]

Кинетические кривые роста массы кристаллов цеолитов.| Рост линейных размеров кристаллов NaX при 90 С ( / и распределение кристаллов по размерам в конечном продукте ( 2. [27]

Прямые измерения под микроскопом линейной скорости роста одного и того же кристалла в процессе изотермической кристаллизации алюмосиликагеля связаны со значительными экспериментальными трудностями. Эти трудности могут быть устранены при измерениях по предложенному нами [6] методу размеров ( диаметров) нескольких наиболее крупных кристаллов, обнаруживаемых в кристаллизующемся геле по истечении разного времени с момента начала процесса. [28]

Вязкость парафинистых мазутов, определяемая при низких температурах, зависит от той термической обработки, которой мазут был ранее подвергнут. Минимальную вязкость имеет мазут, предварительно нагретый до 100 С и охлажденный со скоростью, приводящей к получению наиболее крупных кристаллов парафина. [29]

Рост размеров кристаллов цеолита X в процессе кристаллизации силикаалюмогеля состава NaaO - Al203 - SiOs. [30]

Страницы: 1 2 3