Ионизированный атом

Cтраница 3

Такой ион называют ионизированным атомом акцепторной примеси. Принимать участия в электропроводности он не может, так как является структурным элементом кристалла. [31]

В потенциал возбуждения линий ионизированных атомов включена также величина потенциала ионизации соответствующего атома, чтобы дать представление об общей энергии, необходимой для возбуждения данной линии. [32]

Наконец, электрическое поле вблизи ионизированных атомов, примеси должно приводить к сдвигу края поглощения в длинноволновую область вследствие эффекта Франца-Келдыша. [33]

В зависимости от окружения ионизированного атома углерода карбкатионы подразделяются по степени своей стабильности. Если такой атом находится в контакте с л-системой или основным атомом с и-электронными парами, то такой карбкатион становится более устойчивым и менее реакци-онноспособным за счет перераспределения () - заряда по окружающим атомам. [34]

За счет этого доля ионизированных атомов металла в покрытии оказывается большей, чем в парах металла. [35]

Из характера искрового спектра трижды ионизированного атома кремния Si3 ( уровни энергии которого были уже показаны на рис. 70, стр. [36]

Из характера искрового спектра трижды ионизированного атома кремния Si3, ( уровни энергии которого были уже показаны на рис. 70, стр. [37]

Из характера искрового спектра трижды ионизированного атома кремния Sis, ( уровни энергии которого были уже показаны на рис. 70, стр. [38]

Такая функция ifjn соответствует ионизированному атому с электроном, вылетевшим из него с импульсом - / iq р - р, определяющимся просто законом сохранения импульса, как это было бы при столкновении двух свободных электронов. [39]

Распределение примесей ( а, объемных зарядов ( б, напряженности поля ( в и потенциала ( г в ступенчатом р-п-пе-реходе при термодинамическом равновесии. [40]

Область объемного заряда образуется неподвижными ионизированными атомами примесей, не компенсируемыми зарядами подвижных носителей. [41]

В полупроводниках центрами рассеяния служат нейтральные и ионизированные атомы примеси, вакансии, дислокации и другие дефекты кристаллической решетки. Процессы рассеяния на различных центрах имеют разную физическую природу. [42]

С ростом температуры увеличивается количество ионизированных атомов основного вещества, концентрация неосновных носителей заряда приближается к концентрации основных носителей и работоспособность транзистора нарушается. [43]

РТ - электросопротивления, определяемые ионизированными атомами бора, дефектами упаковки и тепловыми колебаниями атомов соответственно. [44]

Но я не понимаю, почему ионизированные атомы, как доноры, так и акцепторы, сами не участвуют в движении электрических зарядов. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5