Реальный кристалл
Cтраница 3
Поэтому реальные кристаллы и при О К обладают энтропией, большей нуля. Однако энтропии реальных хорошо образованных кристаллов индивидуальных веществ при абсолютном нуле невелики. [31]
Но реальные кристаллы не изотропны по своим макроскопическим упругим свойствам. Скорость волны данного типа зависит в них от направления распространения. [32]
Поскольку реальные кристаллы имеют форму многогранников, поверхности которых характеризуются разным поверхностным натяжением, возникает вопрос, какие значения у и г следует использовать при этом. Как отмечалось в предыдущем разделе при обсуждении рис. V-4, теорема Вульфа утверждает инвариантность уг / Гг для всех граней. Поэтому результат, даваемый уравнением ( V-5), не должен зависеть от выбора грани. Уравнение ( V-5) можно применить также для описания растворимости кристаллов ( см. разд. [33]
 |
Схема образования энергетических зон. [34] |
Рассмотрим реальный кристалл, который состоит из огромного числа атомов. Каждый уровень, соответствующий изолированному атому, в реальном кристалле расщепляется по принципу Паули на столько близлежащих уровней, сколько взаимодействующих атомов содержится в кристалле. [35]
Поэтому реальные кристаллы и при О К обладают энтропией, большей нуля. Однако энтропии реальных хорошо образованных кристаллов индивидуальных веществ при абсолютном нуле невелики. [36]
Однако реальные кристаллы растут с достаточно большой скоростью даже при ничтожных ( в тысячи и более раз меньших, чем рассчитанные теоретически) пересыщениях. В настоящее время это объясняется наличием в кристаллах винтовых дислокаций. Рассмотрим механизм роста идеального кристалла и кристалла, содержащего винтовую дислокацию. [37]
Различают идеальные и реальные кристаллы. Абстрагированное понятие идеального кристалла относится к кристаллам, лишенным каких бы то ни было дефектов. Структура их совершенна, и к ним применимы в строгой форме законы кристаллографии. [38]
Свойства реальных кристаллов всегда отклоняются от тех, какие следуют из идеальной модели кристаллической решетки. Доказательством может служить диффузия вещества в твердом теле. Действительно, в идеальной кристаллической решетке, в которой атомы ( ионы) занимают все предназначенные им позиции ( узлы решетки) и вне этих позиций находиться не могут, перемещение атомов было бы крайне затруднено. При не очень высоких температурах лишь небольшое количество атомов располагает достаточным запасом энергии, чтобы покинуть узел кристаллической решетки. [39]
Поверхности реальных кристаллов далеки от совершенства. На поверхности подложки могут быть скопления дислокаций. Поверхностные атомы химически весьма активны, и вследствие этого свободная поверхность быстро покрывается адсорбированным или хемосорбированным слоем толщиной в несколько атомных диаметров. Все эти несовершенства вызывают образование большого числа центров кристаллизации и способствуют возникновению дефектов роста в пленке. [40]
Плотность реального кристалла, имеющего вакансии, измеренная опытным путем, роп меньше, чем плотность рвыч, вычисленная из рентгенографических данных по размеру элементарной ячейки. [41]
Плотность реального кристалла, имеющего вакансии, измеренная опытным путем ( роп), меньше, чем плотность рвыч, вычисленная из рентгенографических данных по размеру элементарной ячейки. [42]
Дефекты реальных кристаллов определяют, как известно, их структурную разупорядоченность, которая является важнейшим фактором, определяющим реакционную способность твердых тел, так или иначе связанную с переносом вещества. Из современных представлений физики спекания кристаллических порошков [174] следует, что высокая слеживаемость минеральных удобрений и других неорганических солей связана с подвижностью структурных элементов солевой системы и, соответственно, с малой прочностью структуры дефектных кристаллических блоков. [43]
 |
Отражение в плоскости симметрии.| Преобразования правой. [44] |
Симметрия реального кристалла выясняется по симметрии его свойств. При этом используются акцессории роста, штриховки на гранях, способность самоограняться ( кристаллизация из шаров), фигуры травления, спайность, твердость, оптические, электрические, магнитные и другие физические свойства. Наиболее полные сведения о строении кристаллов и об их симметрии дает рентгеноструктурный анализ. [45]
Страницы: 1 2 3 4