Хороший кристалл

Cтраница 4

Вытягивание кристаллов из растворов по Крюгеру и Финке. [46]

Такого же результата можно достигнуть следующим образом: вначале раствор покрывают очень небольшим количеством чистого растворителя и затем на него осторожно наносят хорошо смешивающуюся легкую жидкость с меньшим удельным весом, в которой соль незначительно растворяется. Так, например, образуются хорошие кристаллы нитрата свинца в том случае, если концентрированный водный раствор этой соли покрыть спиртом или, еще лучше, азотной кислотой. [47]

Винтовая дислокация в кристалле карборунда. [48]

Плотность дислокаций обычно выражают числом линий дислокаций, пересекающих единичную площадку в кристалле. Это число колеблется от 108 / см2 для хорошего кристалла до 1012 / см2 для металлов, подвергнутых холодной обработке. А содержит по крайней мере одну дислокацию. В среднем один из тысячи атомов, расположенных на поверхности кристалла, находится вблизи дислокации. Ядро, или линия, дислокации находится в чрезвычайно напряженном состоянии. Химический потенциал вещества здесь настолько высок, что вещество может покидать дислокацию, оставляя за собой полость. [49]

Впрочем, следует отметить явление, что растворы с исключительно чистым хлоралом плохо кристаллизуются. Если же при-т бавить маточник, который однажды дал хорошие кристаллы, то тогда легко получаются хорошие кристдллы. [50]

Превращения чистого NaaMoCM: 621, 580, 423, при прибавлении не изменяется. Застывшие сплавы имеют вид стекол; только LbMoOi образует хорошие кристаллы. [51]

Низкотемпературные пики плавления лучше всего проявляются у отно - сительно хороших кристаллов, выращенных при наиболее высоких тем-пературах кристаллизации, и у кристаллов полиэтиленов с низким молекулярным весом. Низкомолекулярный пик плавления полностью отсут ствует у менее совершенных кристаллов, образующихся при самых низких температурах кристаллизации, и кристаллов полиэтилена с максима; ным молекулярным весом. Кривые плавления с двойными и одиночными пиками были получены Фишером [55] при исследовании плавления узких фракций полиэтилена и полиэтиленов с широким молекулярновесовым ра ( пределением, закристаллизованных при различных температурах. Образец, полученный кристаллизацией полиэтилена с широким молекулярновесовым распределением при 90 С из 2 вес. Кристаллы, выращенные при высоких температурах, имели большую толщину ( до 220 А), и поэтому при их нагревании наблюдали только один пик плавления. Однако температуры пиков были сдвинуты на 2 - 3 С в сторону более высоких температур вследствие отжига в процессе нагревания, как показало исследование плавления тех же самых образцов, но сшитых при облучении ( разд. Такамизава и др. [225] показали, что при проведении термического анализа под давлением эти одиночные пики становятся множественными вследствие процесса перестройки кристаллов, сопровождающегося появлением промежуточного экзотермического пика. Частично изменение профиля пика плавления может быть связано с образованием новой фазы, устойчивой при повышенном давлении ( разд. [52]

Но если взять, например, смесь растворов серномагнезиальной и серноцинковой солей, то при испарении растворов их нельзя отделить друг от друга, несмотря на довольно значительную разность в растворимости этих солей. Некоторые из таких изоморфных смесей известкового и магнезиального шпатов являются в хороших кристаллах, и в последнем случае нередко между количествами составных начал существует пайное отношение, например CaC03MgC03, в других же случаях, особенно при отсутствии ясной кристаллизации в доломитах), такого простого пайного отношения не замечается, как и во многих искусственных изоморфных смесях. Представляя сопоставляемые части молекулярно-малыми, получим понятие об изоморфной смеси. [53]

Размножение иглами и поликристаллическое размножение связаны с ростом дефектных кристаллов. Обычно оно не проявляется при тех условиях, которые необходимы для получения хороших кристаллов. Следовательно, эти типы размножения не имеют, видимо, большого практического значения. Однако размножение при столкновении универсально в своем проявлении и может иметь место при условиях, при которых возможно выращивание хороших кристаллов. [54]

Страницы: 1 2 3 4