Конкретный кристалл
Cтраница 2
Причем для построения этих проекций необходимо заранее знать симметрию конкретного кристалла. При работе же с неизвестным кристаллом единственное, что можно сделать, это нанести нормали к развитым граням и отметить их положение на проекционном ( Круге. Не всегда можно сказать, есть ли оси симметрии того или иного порядка или плоскости симметрии, хотя об их существовании можно догадываться. [16]
Механизм образования включений различен и зависит от условий роста конкретного кристалла. Нередко в кристаллах фтор-флогопита наблюдаются системы параллельных каналов, заполненных примесями. Эти каналы образуются при слоевом росте посредством зубцов, между которыми, как это показано на рис. 22, захватывается примесь. Отдельные межслоевые включения формируются при зарастании незавершенных участков грани. В результате мозаичного роста образуются скелетные и дендритные кристаллы слюды. Растущий кристалл, оттесняющий в расплав примеси, в условиях вязкой среды оказывается в какой-то момент лишенным подпитки. [18]
 |
Законы дисперсии, обладающие точкой вырождения ( feg со0 на границе зоны Бриллюэна. [19] |
Вид закона дисперсии при ak - 1 никакой универсальностью не обладает и отражает специфические свойства конкретного кристалла. Однако можно сделать некоторые общие заключения о поведении закона дисперсии на границах зоны Бриллюэна. [20]
Конечно, указанные выше требования к кристаллу, в первую очередь двулучепреломление, резко уменьшают количество конкретных кристаллов, пригодных для возбуждения гармоник. Од-пако практически таких кристаллов найдено и создано достаточно много, так что этот метод технически полностью освоен. [21]
Дать сколь-либо общую теорию интенсивности рассеянного света, связанного с С-переходом, невозможно без подробных расчетов для каждого конкретного кристалла. [22]
Но может оказаться, что некоторое свойство кристалла, которое, вообще говоря, является свойством второго типа, для некоторого конкретного кристалла будет одинаковым во всех его направлениях. Такой кристалл называют изотропным по отношению к этому свойству. [23]
Поскольку в кристаллах в произвольном направлении могут распространяться три волны, то общие формулы для коэффициентов отражения и преломления даже по отношению к конкретному кристаллу приобретают весьма громоздкий вид. [24]
Изложение всех современных сведений даже по какому-либо одному механизму взаимодействия света с полупроводниками представляет весьма сложную задачу, поскольку любой механизм в каждом конкретном кристалле проявляется со многими специфическими деталями и особенностями. Поэтому в настоящей главе дается классификация основных механизмов поглощения и испускания света в полупроводниках и выясняются общие закономерности в рамках квантовой механики и линейной оптики. Экспериментальные результаты приводятся только в качестве иллюстрации для выводов теории и в тех случаях, когда теория отсутствует, а на опыте установлены достаточно общие закономерности. Многочисленные экспериментальные результаты читатель может встретить в обзорных и оригинальных работах, ссылки на которые приведены в тексте. Нелинейные оптические явления рассматриваются в следующей главе. [25]
Кажется вероятным, что ответ на эти вопросы нельзя найти путем рассуждений качественного характера, которыми мы пользовались до сих пор, - может потребоваться количественный расчет для тех или иных конкретных кристаллов. [26]
В конкретных кристаллах эта задача может свестись к непосредственному измерению не этих велиичы, а величин, связанных с ними, по которым можно вычислить электрооптические коэффициенты. Подобные измерения, как правило, производятся в плоско или циркулярно поляризованном свете путем визуального или фотоэлектрического измерения изменяющейся интенсивности света, пропускаемого системой при наложении на кристалл электрического поля. [27]
В применении к конкретному кристаллу его результаты могут использоваться только для качественных суждений. Для получения более точных сведений необходимо учитывать специфические особенности схемы Энергетических уровней активаторного иона и значения ряда параметров, характеризующих матрицу-основу. [28]
Чтобы иметь дело с конкретным кристаллом, рассмотрим кремний, В изолированном атоме кремния два электрона находятся в s - состоянии, и два - в р-состоянии. Эта разность называется энергией активации и равна вр-еа, или 4УЬ в расчете на один атом, где W - энергия металлической связи, введенная в гл. При сближении атомов, образующих ионный кристалл, число электронов на атомах двух типов различно, и энергия активации будет также иной. [29]
 |
Кривые дисперсии монокри - четырем ноляриза.| Зависимость времени. [30] |
Страницы: 1 2 3 4