Идеальный кристалл

Cтраница 3

Энтропия идеального кристалла при О К равна нулю. [31]

Деформация идеального кристалла носит чисто энергетический характер. [32]

Одномерная интерференц ионная функция Лауз. О - угловая отстройка от точного угла Брэгга. [33]

Для идеального кристалла суммы в ( 2) являются геом. Если кристалл имеет вид правильного параллелепипеда, содержит NNaN N, элементарных ячеек ( JVa, j, c - число периодов вдоль векторов элементарных трансляций а Ъ и с), то суммирование ( 2) приводит к интерференц. [34]

Модель идеального кристалла адсорбента далее модифицируется путем введения дефектов решетки, таких, как дислокации, вакансии и границы зерен, что, согласно квантовомеханической теории хемосорбции, приводит к появлению новых центров адсорбции, способных адсорбировать s - атомы с существенно меньшей энергией, чем нормальные центры. В дальнейшем модифицированная модель называется моделью кристаллической плоскости. [35]

В идеальном кристалле атомы идентичны, энергии одинаковых связей равны, как и расстояния между сходными узлами. Любой дефект нарушает эту гармонию. Причем нарушение распространяется не только на ближайших соседей дефекта. Количество дефектов в кристалле обусловлено стремлением системы к минимуму свободной энергии. [36]

В идеальном кристалле, которому на рисунке соответствует прямая линия, свободный носитель заряда делокализован ( 1) и движется в виде плоской волны без рассеяния. В реальном кристалле всегда имеются колебания решетки, или фононы ( 2), которые нарушают симметрию кристалла. Эти фононы рассеивают электрон ( 3) и тем самым уменьшают его подвижность. Поэтому понижение температуры должно повысить подвижность, б - Перенос путем перескоков. Такой процесс должен быть активирован, поэтому подвижность будет возрастать с температурой, в - Перенос посредством волны зарядовой плотности. Если электроны проводимости собираются в последовательность периодических кластеров, создается возможность их перемещения как единого целого. Это и называется волной зарядовой плотности. Молекулы решетки колеблются вокруг своего среднего положения, а электроны перемещаются вдоль цепочки под действием внешнего поля. [37]

Схема перемещения атомов при скольжении краевой дислокации. [38]

В идеальном кристалле в скольжении должны одновременно участвовать все атомы, находящиеся в плоскости сдвига. Величину ткр называют теоретической прочностью кристалла. В реальных кристаллах для сдвига на одно межатомное расстояние требуются напряжения около 10 - 4G, что в 1000 раз меньше теоретического значения. [39]

В идеальном кристалле без примесей уровень Ферми равен е0 и доля ци слабой связи является преобладающей. Таким образом, в зависимости от характера полупроводника ( л - или р-полупроводник) на нем будет протекать адсорбция преимущественно на прочной акцепторной или прочной донорной связи и соответственно будет меняться избирательность ( селективность) полупроводникового катализатора. Если адсорбируются молекулы, то при адсорбции их в форме прочной связи в них обычно рвутся связи между атомами, молекула превращается в радикал и это способствует осуществлению катализа. Например, при адсорбции двухатомной молекулы АВ с одинарной связью на прочной связи происходит диссоциация молекулы на адсорбированные атомы А и В. При адсорбции молекулы с двойной связью рвется одна связь и образуется радикал. [40]

Образование энергетических зон из атомных уровней. a - кристалл лития, зона 2s заполнена частично. б - кристалл бериллия, заполненная зона 2s перекрывается с пустой зоной 2р, в результате чего образуется частично заполненная гибридная. зона. в -. в кристаллах со структурой алмаза зоны, образованные из yponueA s и р, г. е. екрываясь, дают заполненную валентную зону ( нижняя и пустую зону проводимости ( верхняя. [41]

В идеальном кристалле все элементарные ячейки также эквивалентны друг другу. Поэтому в стационарном состоянии вероятность нахождения электрона в любой из них должна быть одной и той же. [42]

В идеальном кристалле пластическая деформация должна происходить за счет разрыва межатомных связей в кристаллической решетке, как это схематически показано на рисунке 9.14. На этом рисунке изображены три последовательные стадии процесса неупругой деформации сдвига. Под действием касательных сил, показанных стрелками, части идеального кристалла оказались смещенными относительно друг друга в результате одновременного разрыва связей по всей плоскости, отмеченной пунктиром. Расчет сил, необходимых для осуществления такого рода процессов, показывает, что они должны быть намного больше экспериментально получаемых значений. Это объясняется тем, что в действительности пластическая деформация в реальных телах происходит за счет не одновременного, а поочередного разрыва связей, обусловленного движением дислокаций, как это схематически показано на рисунке 9.15. На этом рисунке показаны четыре последовательные стадии движения краевой дислокации под действием касательных сил. [43]

В идеальных кристаллах атомы занимают постоянные позиции. Каждая произвольно выбранная частица строго упорядоченным образом окружена другими частицами. Из-за наличия этой нулевой энергии не существует постоянных атомных положений. [44]

В идеальном кристалле, не содержащем дефектов, сила, действующая на ион, помеченный цифрой II, со стороны любого другого иона полностью уравновешивается силой взаимодействия его с симметрично расположенным ионом, так что равнодействующая всех сил, действующих на ион II, вследствие полной симметрии кристалла равна нулю. [45]

Страницы: 1 2 3 4