Кремниевый кристалл

Cтраница 3

Восстановление стабильно, когда кремний получен вытягиванием из кварцевого тигля, однако при определенных условиях нестабильно, если кремниевые кристаллы выращены методом зонной плавки. [31]

Установка бескорпусных ЭРЭ на полиимидную печатную плату. [32]

Устойчивость к термоударам обусловлена близостью ТКЛР полиимидной пленки и алюминиевого основания, эластичностью пленки, компенсирующей разницу ТКЛР пленки и кремниевого кристалла. Бескорпусные БИС монтируются непосредственно на полиимидную пленку и крепятся с помощью клея МК-400. Пример знакоместа на полиимидной плате для монтажа бескорпусных БИС на ленточном носителе ( см. рис. 1.20) представлен на рис. 8.89, а. [33]

Как следует из короткого анализа схемы интегрального усилительного каскада на бипополярных транзисторах с динамической нагрузкой, для его реализации на кремниевом кристалле требуется несколько изолированных областей, а это существенно уменьшает степень интеграции микросхемы и в целом увеличивает площадь кристалла. [34]

Все компоненты и контактные площадки должны находиться по крайней мере на расстоянии 50 мкм от линии скрайбирования, ограничивающей наружные размеры кремниевого кристалла. Ширина линии в свою очередь должна быть около 75 мкм, чтобы обеспечивать отделение кристалла от пластины после проведения металлизации. [35]

На основе кремния может быть получен конденсатор другого типа, в котором диэлектриком служит слой окиси кремния, сформированный на поверхности пластинки кремниевого кристалла. Кремний служит в качестве одной из обкладок конденсатора, другой обкладкой является металлический слой, нанесенный на окись кремния. Конденсаторы такого типа имеют температурный коэффициент не менее 10 - 4 на 1 С, малую нелинейность и отличную стабильность. [36]

К держателю, выполненному из молибдена, вольфрама или их сплавов и имеющему коэффициент теплового расширения, близкий к коэффициенту теплового расширения кристалла полупроводника, присоединяют кремниевый кристалл с помощью припоя, который представляет собой сплав 0 5 - 8 % сурьмы, 20 % кремния ( или германия, свинца, олова), остальное - серебро. [37]

Норе [10] получил СВЧ колебания, используя зависимость контактной емкости германиевого детектора от смещения, а Хайнз показал, что для этой цели пригодны также и кремниевые кристаллы. [38]

Транзистор с нели - [ IMAGE ] Ячейка ТТЛ с транзистором. [39]

Разработана также система элементов ТТЛ с низким напряжением питания [9] и, следовательно, малым потреблением мощности, что делает ее полезной для повышения плотности элементов на кремниевом кристалле и создания больших интегральных схем. Схема такой ячейки показана на рис. 8.35, а. Принцип ее работы состоит в следующем. [40]

Диод состоит из проводника с выводом 1, баллона 5, корпуса 9 диода, электрода 6 из алюминиевой пластины, кристалла кремния 7 и шпильки 10 крепления диода. Кремниевый кристалл 7 запаян между алюминиевым электродом б и никелированным медным корпусом. Алюминий вплавляют в кристалл кремния. [41]

Инженеры японской фирмы Sony выпустили первый миниатюрный радиоприемник, собранный на одной интегральной схеме. В приемнике имеется кремниевый кристалл, содержащий 9 транзисторов, 4 диода, 14 резисторов. Размеры интегральной схемы, примененной в приемнике Sony, 6 5X8 5X4 мм, корпус имеет 16 выводов, кристалл прикреплен к стеклянной ножке и герметизирован эпоксидным составом. [42]

В качестве детектора ЭПР наиболее часто применяется кристаллический вентиль, или диод. Обычный кристаллический преобразующий элемент состоит из кремниевого кристалла в контакте с острием вольфрамовой пружины. Кремний содержит следы примеси и это делает его полупроводником. Типичная вольт-амперная характеристика такого элемента представлена на фиг. [43]

Хотя и было показано, что геликоидальные дислокации дают спиральные ямки травления 135, 36 ], последние не обязательно связаны только с геликоидальными дислокациями. На медленно протравленной поверхности германиевого или кремниевого кристалла иногда наблюдается большое количество спиральных ямок, которые, по-видимому, не имеют отношения к геликоидальным дислокациям. [44]

К этой же группе следует отнести и отказы, возникающие из-за различия тепловых коэффициентов расширения различных материалов. Так, значительное различие коэффициентах расширения кремниевого кристалла и материала кристаллодержателя может привести к растрескиванию кристалла при изменении температуры. Этот вид отказов является следствием явного недостатка конструкции. [45]

Страницы: 1 2 3 4