Новый атом

Cтраница 2

На место вакантного узла может перемещаться новый атом, а вакантное место - дырка - образуется по соседству. [16]

На место вакантного узла может перемещаться новый атом, а вакантное место ( дырка по терминологии Я - И. Френкеля) образуется по соседству. [17]

На место вакантного узла может перемешаться новый атом, а вакантное место - дырка образуется по соседству. [18]

Часто бывает существенным появление в решетке новых атомов за счет внедрения падающих тяжелых частиц, а также за счет ядерных реакций с возможными последующими распадами продуктов реакций. Нейтроны любых энергий легко захватываются ядрами, причем получающиеся новые изотопы часто оказываются р-активными. В результате распада этих изотопов в кристалле образуются примесные атомы. В делящихся материалах разнообразные примесные атомы возникают также в результате каскадного 5-распада осколков деления. В частности, среди продуктов деления заметную долю составляют инертные газы криптон и ксенон. При интенсивном облучении в реакторе эти газы выделяются в столь заметных количествах, что приводят к пористости и разбуханию материала. [19]

Часто бывает существенным появление в решетке новых атомов за счет внедрения падающих тяжелых частиц, а также за счет ядерных реакций с возможными последующими распадами продуктов реакций. Нейтроны любых энергий легко захватываются ядрами, причем получающиеся новые изотопы часто оказываются - активными. В результате распада этих изотопов в кристалле образуются примесные атомы. В делящихся материалах разнообразные примесные атомы возникают также в результате каскадного р-распада осколков деления. В частности, среди продуктов деления заметную долю составляют инертные газы криптон и ксенон. При интенсивном облучении в реакторе эти газы выделяются в столь заметных количествах, что приводят к пористости и разбуханию материала. [20]

Если ж е - b считать просто новым атомом, то эта нерасширенная программа будет иметь единственную PSM - - Ь, которая не является когерентной интерпретацией. Интуитивное объяснение может быть таким: истинность - i& ( или независимая ложность 6) заменяет любое правило для b с неопределенным телом, так что not b становится скорее истинным ( и b ложным), чем неопределенным. [21]

По существу рост кристаллов заключается в добавлении новых атомов или молекул к слоям на поверхности растущего кристалла; эти слои представляют собой прерывности в ряде плоскостей кристалла, добавляемых к растущей поверхности; слои в свою очередь включают ряд выступов, определяющих степень нарастания слоя на растущей поверхности. Примеси могут адсорбироваться на слоях или предпочтительно на выступах. Адсорбированные примеси, близко расположенные друг к другу, могут эффективно препятствовать продвижению слоя и при достаточной концентрации могут вообще остановить рост. Адсорбированные примеси могут быть подвижными, и в этом случае основной эффект, как полагают, будет происходить на выступах, адсорбция примесей на которых может вызывать уменьшение скорости нарастания слоя. Были сделаны попытки оценить влияние адсорбции примесей на выступах на скорость роста. Адсорбция примесей может также привести к разветвлению слоев, однако ясного представления о таких эффектах еще нет. Наличие следов примесей может изменить скорость роста кристаллов на несколько порядков, этот эффект можно наблюдать при росте из газовой фазы, расплава или раствора. Интересным проявлением адсорбции примесей из раствора на поверхности кристалла является эффект граней, который определяется неоднородностью распределения примесей в растущем кристалле, возникающей в связи с различиями скорости роста определенных кристаллических поверхностей и различиями в количествах адсорбированных примесей на этих поверхностях. [22]

Таким образом, в результате реакции всегда образуется новый атом хлора, обеспечивающий возможность дальнейшего протекания цепной реакции. [23]

Разница между величинами энергии, освобождающейся при осаждении новых атомов на различных участках поверхности растущих кристаллов, не особенно велика. Поэтому практически регулярный рост кристаллов происходит только тогда, когда электродный потенциал незначительно отличается от равновесного. В противном случае относительно небольшое преимущество регулярности роста кристалла утрачивается - на электроде появляется много новых кристаллов, растущих в направлениях, отличающихся от первоначальных. Размеры этих кристаллов остаются все же небольшими, так как образование новых кристалликов энергетически более выгодно, чем регулярный рост прежних. В этих условиях происходит осаждение металла в виде проросших друг в друга микроскопических кристаллов, образующих макроскопически равномерное гладкое покрытие. Таким образом, вместо монокристаллической поверхности мы получаем поликристаллическую, что не всегда следует рассматривать как недостаток; в ряде случаев, например при изготовлении гальванических покрытий, это большое достоинство. [24]

В первых опытах удалось выделить лишь несколько сотен новых атомов - количество невидимое и невесомое. [25]

В первых опытах удалось выделить лишь несколько сот новых атомов - количество невидимое и невесомое. [26]

На своем пути они вызывают вынужденное излучение у новых атомов хрома, и процесс продолжается. Процесс высвечивания всех возбужденных атомов хрома завершается за 10 - 8 - 10 - 10 с. [27]

При насыщении атомов другими атомами становится невозможным дальнейшее присоединение новых атомов. [28]

Радиоактивное семейство урана. А - массовое число ядра. Z - порядковый номер. О - радиоактивные изотопы. Q - устойчивый изотоп. жирные наклонные стрелки - а-распад, тонкие вертикальные стрелки. [29]

Очевидно, в природе наряду с распадом происходит образование новых атомов радия. Тот факт, что радий всегда содержится в урановых и только в урановых рудах, наводит на мысль, что источником новых атомов радия служит радиоактивный распад урана. [30]

Страницы: 1 2 3 4