Cтраница 3
Огромное число данных по показателям преломления органических жидкостей и неорганических кристаллов ( преимущественно минералов), полученных за последнее столетие, позволяет широко использовать рефрактометрию для установления идентичности исследуемых веществ с ранее описанными, а также для оценки степени их чистоты. [31]
Это является следствием того обстоятельства, что модули упругости большинства неорганических кристаллов и аморфных твердых тел весьма велики, порядка сотен тысяч килограммов на квадратный сантиметр. [32]
Можно показать, что противоречия правилу Шомакера - Стивенсона у неорганических кристаллов встречаются очень часто. Мы не будем приводить здесь конкретных примеров, а рассмотрим общие положения. [33]
В предыдущих разделах были рассмотрены рабочие схемы ОКГ на основе неорганических кристаллов, стимулированное излучение которых обусловливалось электронными переходами между штарковскими уровнями примесных ионов. [34]
![]() |
Монокристаллы ферроцена, выращенные из пара. [35] |
За последнее десятилетие быстро развилась техника выращивания из: расплава больших полупроводниковых неорганических кристаллов; теперь эта техника уже широко применяется для приготовления многих органических кристаллов. Выращивание из расплава имеет ряд преимуществ перед другими методами. [36]
Так как органические полимеры являются менее жесткими по сравнению с неорганическими кристаллами или стеклами, для них существенными могут оказаться процессы миграции зарядов. Они состоят в том, что при разогреве облученного полимера часть глубоких ловушек разрушается или начинает мигрировать в его объеме еще до того, когда из них освобождаются захваченные электроны. Миграция ловушек и их разрушение сопровождаются рекомбинацией связанных зарядов в отличие от рекомбинации электрона с дыркой. Миграции ловушек со стабилизированным зарядом становятся все более вероятными по мере размораживания подвижности отдельных звеньев, сегментов и макромолекул как целого. [37]
Хорошо известно [56], что под воздействием ионизирующего излучения в неорганических кристаллах при комнатной температуре образуются захваченные электроны. Они выбиваются излучением из ионов кристалла. Хотя большинство электронов в дальнейшем вновь возвращается к исходным ионам, некоторые из них могут захватываться и удерживаться в вакансиях для отрицательных ионов в теле решетки, образуя F-центры. У гало-генидов щелочных металлов это вызывает появление полос поглощения в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. Измерения с помощью метода ЭПР указывают на сильное взаимодействие между электроном и шестью окружающими его ионами щелочных металлов. [38]
![]() |
Положение молекул в элементарной ячейке кристалла антрацена. [39] |
Методы поляризованной люминесценции используются при исследовании как органических, так и неорганических кристаллов. [40]
Эти значения приблизительно па два порядка ниже относительно значений модуля сдвига неорганических кристаллов, у которых, как известно, деформация также связана с изменением валентных расстояний. [41]
В табл. 1 приведены данные по эффективным зарядам атомов в некоторых неорганических кристаллах, которые были получены рент-геноспектральным методом. Знаком отмечены эффективные заряды на металлических элементах, а знаком - - на электроотрицательных атомах. Все остальные соединения, в том числе галогениды, оксиды и сульфиды кальция и магния, являются только частично ионными. [42]
Вторая работа [252] - теоретическая; она посвящена исследованию возможности квантового процессинга в неорганических кристаллах, легированных редкоземельными ионами. Индивидуальный кубит ассоциируется с ионом, находящимся в определенном спектральном пакете. Существенное значение имеет узкополосность лазерного излучения, которая должна обеспечить возбуждение конкретного иона, как в случае спектроскопии одиночных молекул. Кроме того, аппаратура должна гарантированно обеспечить формирование тг-импульсов. И, наконец, эта аппаратура должна быть способной фиксировать излучение одиночных ионов. [43]
В настоящее время выяснено, что удовлетворительной моделью разнообразных парамагнитных центров, образующихся в неорганических кристаллах под действием излучения с высокой энергией, является модель изолированных радикалов. Неспаренный электрон в таких радикалах находится на молекулярной орбитали сравнительно небольшой протяженности. Естественно, что кристаллическая решетка должна в известной степени определять свойства радикалов. Однако в тех пределах, в которых были проведены непосредственные сравнения, влияние внешнего окружения, по-видимому, незначительно. [44]
Причиной расхождения теории с опытом является основное предположение Борна о чисто кулоновском характере взаимодействия ионов в неорганических кристаллах, и как следствие-об аддитивном характере молекулярной поляризации. В действительности, электронные оболочки ионов в кристаллах деформируются и перекрываются в процессе колебаний решетки. В результате атомная и электронная компонента поляризации уже не являются независимыми аддитивными величинами. [45]