Cтраница 2
С другой стороны, поскольку связь между отдельными зародышевыми кристаллами в получающихся агрегатах сравнительно непрочная, эти агрегаты могут снова распадаться с образованием коллоидного раствора. [16]
Наоборот, при кристаллизации из слабо пересыщенного раствора новых зародышевых кристаллов, при прибавлении каждой порции осадителя, образуется мало, зато большая часть вещества отлагается на поверхности ранее образовавшихся кристаллических зародышей. В результате получается сравнительно крупнокристаллический осадок. [17]
При осаждении в растворе протекают два взаимосвязанных процесса: возникновение мельчайших зародышевых кристаллов и их дальнейший рост. [18]
![]() |
Условия осаждения кристаллических и аморфных веществ. [19] |
При осаждении в растворе протекают два взаимосвязанных процесса: возникновение мельчайших зародышевых кристаллов и их дальнейший рост. [20]
В начале процесса кристаллизации испаряемая вода представляет собой коллоидно-дисперсную систему из зародышевых кристаллов. При упаривании воды происходит укрупнение зародышевых кристаллов вследствие дальнейшего1 нарушения равновесия системы. [21]
При образовании кристаллических осадков прибавление каждой порции осадителя не сразу вызывает образование зародышевых кристаллов и осаждаемое вещество некоторое время остается в пересыщенном растворе. При постепенном введении осадителя выделение вещества из пересыщенного раствора происходит преимущественно на поверхности ранее образовавшихся зародышевых кристаллов, которые при этом постепенно растут, так что в конце концов получается кристаллический осадок, состоящий из сравнительно небольшого числа относительно крупных кристаллов. [22]
![]() |
Изменение температуры смеси пропан - вода с содержанием 35 г / л NaCl в процессе образования кристаллогидратов. [23] |
Для начала массового образования кристаллогидратов необходимо, чтобы в смеси пропан - вода появились зародышевые кристаллы. Одним из практически удобных способов стимулирования процесса кристаллизации является переохлаждение смеси. [24]
При повышении концентрации из раствора выделяются новые центры кристаллизации и одновременно с этим часть первоначальных зародышевых кристаллов продолжает расти. В этом случае образуется среднезернистая кристаллическая накипь, включающая иногда пустоты ( пузырьки пара) и имеющая повышенное термическое сопротивление. [25]
Скорость кристаллизации увеличивается со степенью пересыщения благодаря возрастанию вероятности одновременной встречи многих частиц, образующих зародышевый кристалл. Уменьшение температуры снижает вероятность встречи молекул вследствие уменьшения скорости их движения и увеличения вязкости среды. Однако результат противоположного действия этих факторов осложняется уменьшением пересыщения раствора при кристаллизации и тепловыми эффектами в этом процессе, благодаря чему с понижением температуры сначала скорость кристаллизации растет, а затем падает до нуля, когда значительно возрастает вязкость. При медленном охлаждении стекло кристаллизуется. [26]
Чем больше концентрация раствора, и чем меньше растворимость данного вещества, тем больше возникает зародышевых кристаллов. Если зародышей очень много, то образуются мелкие кристаллы, что бывает при быстром смешивании концентрированных растворов, дающих какой-либо осадок. Если, наоборот, рас-творы будут разбавленными и реактивы смешиваются постепенно, то зародышей образуется меньше, и число образовавшихся кристаллов так же будет меньше, но они будут крупными. [27]
В результате этого пересыщение раствора образующимся дигидратом не столь велико, и он, выделяясь на зародышевых кристаллах гипса, приводит к их росту и не препятствует дальнейшему растворению полугидрата. [28]
При охлаждении расплава они являются дополнительными центрами, в которых начинается кристаллизация, при этом геометрическая форма введенного зародышевого кристалла определяет конфигурацию кристаллических структур. [29]
Стабилизирующее действие фосфатов в этих условиях происходит, как предполагают, в результате их адсорбции на поверхности зародышевых кристаллов карбоната кальция, что затрудняет их дальнейший рост. [30]