Пьезоэлектрический кристалл
Cтраница 3
При изучении комбинационного рассеяния в пьезоэлектрических кристаллах необходимо освещать образец только в одном направлении оси ОХ ( фиг. [31]
Особенностью комбинационного рассеяния света в пьезоэлектрических кристаллах является также аномальная величина степени деполяризации ряда линий [440], не согласующаяся с теоретическими значениями. Интенсивность комбинационного рассеяния на продольных и поперечных колебаниях различна. Это следует, например, из вида тензора комбинационного рассеяния, полученного с помощью теории возмущений третьего порядка [373], так как электрон-фононное взаимодействие для поперечных и продольных колебаний различно. Действительно, для продольного колебания, сопровождаемого электрическим полем, возникает добавочное электрон-фононное взаимодействие, которое может оказаться значительно большим, чем обычное электрон-фононное взаимодействие, описываемое теорией деформационного потенциала. [32]
Обратный пьезоэлектрический эффект наблюдается, когда пьезоэлектрический кристалл помещают в электрическое поле. Этот эффект состоит в том, что под воздействием электрического поля геометрические размеры пьезоэлектрического кристалла изменяются. [33]
Из предыдущих параграфов следует, что пьезоэлектрические кристаллы, пьезокерамика и текстуры находят важное техническое применение в радиотехнике, электронике и приборостроении в качестве функциональных элементов различного назначения. Новые функциональные возможности для пьезоэлектрических устройств возникают, когда основными параметрами пьезоэлектрика можно управлять с помощью электрического поля. Особенным случаем такого управления является возможность электрического индуцирования пьезоэффекта в непьезоэлектрических веществах. [34]
Этилендиаминтартрат ( ЭДТ) CeH14N2O8 представляет собой пьезоэлектрический кристалл, сравнительно легко выращиваемый - в лабораторных условиях. Значение пьезомодулей у него выше, чем у кварца и достигает примерно ( 7 - г - 10) 10 - 1а м / в. Кристалл имеет ряд срезов с близким к нулю значением ТКЧ и при низких частотах используется в кристаллических фильтрах и стабилизированных генераторах. Кристаллы ЭДТ имеют более низкую механическую прочность и добротность, нежели кварц. [35]
В табл. 1 приводятся основные характеристики пьезоэлектрических кристаллов, определяющие эффективность их рабо ты в качестве преобразователя УЗК. В графе 19 даны абсолют ные значения коэффициента Ям эффективности преобразовате ля, а в графе 20 - значения этого коэффициента для различны: комбинаций пьезоэлементов ( в условиях работы на одинаково. [36]
Чувствительный элемент может состоять просто из пьезоэлектрического кристалла, закрывающего конец волновода. В этом случае падающий в. [38]
Физическую природу пьезоэффек-та рассмотрим на примере наиболее известного пьезоэлектрического кристалла - кварца. На рис. 6 - 1, а показана форма элементарной ячейки кристаллической структуры кварца. Ячейка в целом электрически нейтральна, однако в ней можно выделить три направления, проходящие через центр и соединяющие два разнополяр-ных иона. [39]
В последнее время выпускаются резонаторы с искусственными пьезоэлектрическими кристаллами и применяют магнитострикционные фильтры. Принцип действия последних основан на свойстве ферромагнитных материалов совершать механические колебания в переменном магнитном поле. [40]
 |
Гиперзвуковой эхо-сигнал в рубине, возбужденный методом точечного преобразования. [41] |
Гц, однако его применение ограничено достаточно совершенными пьезоэлектрическими кристаллами. [42]
Позднее для создания высокочастотных колебаний широко применялись пьезоэлектрические кристаллы. [43]
При этом оказывается, что на поверхности пьезоэлектрического кристалла в определенных направлениях могут распространяться особые, чисто сдвиговые поверхностные волны, называемые волнами Гуляева - Блюстейна [ 1091, играющие важную роль в акустоэлектронике. Этот вопрос, однако, также выходит за рамки данной книги. [44]
При измерении сил в особенности удобно применять пластинку пьезоэлектрического кристалла, находящуюся между двумя обкладками конденсатора, соединенного с электрометрической лампой. Q одной обкладки пропорционален силе F, действующей на одну из граней кристаллической пластинки. [45]
Страницы: 1 2 3 4