Хорошо развитой кристалл

Cтраница 1

Хорошо развитые кристаллы образуются в слабых азотнокислых растворах. Следует избегать трения стеклянной палочкой, так как при этом образуются мелкие кристаллы. В присутствии железа кристаллы окрашиваются в красный цвет; цинк и кадмий увеличивают чувствительность реакции, образуя смешанные голубые кристаллы в виде разветвленных дендритов. Мешает проведению реакции 10-кратный избыток никеля и большой избыток солей щелочноземельных металлов. [1]

Гематит Fe203 в виде хорошо развитых кристаллов называется железным блеском ( рис. 22), а в скрытокристалли-ческой форме - красным железняком. [2]

Для тридимитовой зоны характерно наличие большого количества хорошо развитых кристаллов тридимита, бурого сильно железистого стекла, силикатов железа и ортосиликатов других металлов и скелетных кристаллов магнетита. Метасиликатов и псевдоволластонита нет. [3]

Наибольший выход изотактического полипропилена получается при использовании треххлористого титана с малой удельной поверхностью и хорошо развитыми кристаллами. Однако на таком катализаторе полимеризация протекает медленно. При увеличении удельной поверхности применяемого катализатора одновременно со скоростью реакции возрастает содержание атактической фракции и стереоблоков в полимере, что связано, очевидно, с увеличением дефектов в твердой фазе. [4]

Повышение температуры восстановления сверх оптимальной приводит сначала к возникновению пластинчатых образований, а затем к росту крупных, хорошо развитых кристаллов, тогда как усы не образуются. [5]

Характерна преимущественная кристаллизация этих новообразований на поверхности зерен карбонатов, в результате чего последние обрастают сросшимися между собой, хорошо развитыми кристаллами новой фазы. [6]

Хадыженская на глубине 559 - 561 м и на глубине 625 м по своему фазовому составу представлен минералами тоберморитовой группы, гидроксидом кальция двух видов - в виде блочно-гелевидной массы и высокодисперсными образованиями; эттрингитом в виде хорошо развитых кристаллов удлиненной формы; гидроалюмосиликатов типа C4AHi3 в виде крупных чешуйчато-слоистых образований, а также глинистых минералов группы монтмориллонита и хорошо развитой структуры, вероятно, галлуазита. [7]

Препарат полугидратной пульпы, полученной в процессе нормализации технологического режима экстракции после его нарушения. X 116. [8]

Если в последнем случае лучшие результаты получают при выделении дигидрата сульфата кальция в виде возможно более крупных монокристаллов, а образование сростков резко затрудняет отмывку осадка, то при осаждении полугидрата сульфата кальция необходимо обеспечить получение максимального количества изометрических компактных сростков, состоящих из небольшого количества хорошо развитых кристаллов. [9]

Гипотеза о реакциях при обжиге глинистых минералов подтверждается электронно-микроскопическими исследованиями. У совершенно и хорошо развитых кристаллов каолинита или диккита ( фолерита) в области эндотермических реакций, при увеличении в 25 000 раз, не обнаружено никаких изменений внешней формы; отмечено лишь незначительное отслаивание, сходное со вспучиванием вермикулитов ( см. С. Метафа-за выглядит однородной, состоящей как бы из однотипных кристаллов. Только после нагревания до температуры выше 900 С становится заметным разложение на тонкодисперсные частицы глинозема и свободного кремнезема, а при температурах выше 1000 С появляются тонкие иголочки муллита, что хорошо согласуется с результатами рентгеновского анализа. Незначительные примеси флюсов уже на этих ранних стадиях благоприятно действуют на процесс спекания ( см. D. II, § 150 и ниже), который сопровождается образованием зерен большей; величины и выделением новых, отчетливо выраженных кристаллических фаз. [10]

Диаграмма для определения состава твердой фазы по методу влажных остатков. [11]

Два последних метода требуют применения больших и хорошо развитых кристаллов. [12]

Спирт с частью воды испаряется очень медленно, и приблизительно. Через 14 дней or начала испарения делают прививку хорошо развитым кристаллам валерианата хинина. [13]

Часть диаграммы состояния, поясняющая процесс образования кристаллов соединения АВ ( 1 г при испарении компонента В из раствора А-В.| Часть диаграммы состояния, поясняющая процесс образования кристаллов соединения АВ ( 1 - 8 методом насыщения раствора компонента А летучим компонентом В. [14]

В ( за счет понижения температуры Т3) состав раствора все время изменяется и область пересыщения постепенно перемещается от дна к поверхности тигля и сопровождается ростом кристалла. Зарождение кристаллов происходит самопроизвольно; для того, чтобы получить несколько хорошо развитых кристаллов, процесс следует проводить при очень малых скоростях роста, когда в слое раствора, прилегающем к кристаллу, отсутствуют радиальные изменения концентрации, а температурный градиент по высоте имеет возможно меньшее значение. Определение скорости и закона изменения температуры 73, очевидно, требует предварительного установления зависимости давления пара компонента В от состава раствора, знания температурной зависимости давления паров чистого компонента В и учета скорости выравнивания состава раствора. Выращивание кристаллов этим методом требует совершенной стабилизации и регулирования температур. Отсутствие механических перемещений является существенным преимуществом этого метода. [15]

Страницы: 1 2