Осажденный кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Жизнь, конечно, не удалась, а в остальном все нормально. Законы Мерфи (еще...)

Осажденный кристалл

Cтраница 2


Образующиеся кристаллы солей оседают на дне сатуратора, откуда их с помощью насоса удаляют в виде пульпы в кристаллоприемник для отстоя. Осветленный раствор из кристаллоприемника возвращается в сатуратор, а осажденные кристаллы поступают на центрифугу непрерывного действия. В центрифуге отделяется маточный раствор от кристаллов, которые после выгрузки направляют на сушку и склад готовой продукции. Маточный раствор после центрифугирования возвращается в сатуратор. В результате накапливания маточного раствора и добавления необходимого количества воды для поддержания заданных условий образования солей сульфата аммония в производстве создается большой избыток такого раствора.  [16]

Электролизеры для рафинирования титана тщательно герметизируют, и работу ведут в атмосфере аргона. Катод периодически поднимают в установленную над ванной камеру, где в атмосфере аргона от катода отделяют осажденные кристаллы титана.  [17]

Часто в результате однократного процесса кристаллизации, осуществляемого из раствора или расплава, не удается получить чистый кристаллический продукт. Это может быть в том случае, если примесь обладает такой же способностью растворяться, как и чистый компонент, который мы хотим получить, поэтому оба вещества выпадают одновременно. Примеси могут находиться в больших количествах, поэтому осажденные кристаллы загрязняются. Чистое вещество не может быть получено из расплава за одну стадию кристаллизации, если примесь и подлежащее очистке вещество образуют твердый раствор. Слово чистый применяется здесь несколько условно: ни одно вещество не может быть получено в абсолютно чистом виде, поэтому смысл слова несколько произволен.  [18]

В связи с тем, что реализация режима с подпиткой требует применения платиновых тиглей специальной конструкции ( с разделением камер растворения и кристаллизации), для получения высококачественных кристаллов при выращивании в однокамерном кристаллизаторе интерес представляет применение комбинированного температурного режима кристаллизации, при котором первая стадия протекает при постоянной температуре, а вторая - с понижением температуры. Для этого предварительно в режиме с понижением температуры на дне и стенках тигля осаждают кристаллы. После того, как необходимый температурный интервал пройден и достигнуто равновесие раствора-расплава с выпавшими кристаллами, в него вводят затравочный кристалл, рост которого начинается в режиме с подпиткой вследствие растворения осажденных кристаллов. По мере того, как подпитывающее вещество выбирается, необходимое пересыщение создается понижением температуры раствора-расплава. Эффективность начальной стадии зависит от того, насколько развита поверхность подпитывающих кристаллов и каково их распределение по стенкам тигля.  [19]



Страницы:      1    2