Cтраница 2
Появление поляризации в диэлектрике под действием механических напряжений называют прямым пьезоэффектом. Кроме прямого пьезоэффекта существует и обратный. Он заключается в том, что при наложении внешнего электрического поля кристалл несколько сжимается или расширяется. Пьезоэффект наблюдается во всех нецентросимметричных кристаллах. Под действием механических напряжений происходит смещение заряженных частиц и, таким образом, возникает дипольный момент. Смещение частиц в кристаллах с центром симметрии не приводит к появлению поляризованного состояния, так как в этом случае в силу наличия центра симметрии происходит электрическая компенсация моментов, образованных за счет смещения положительно и отрицательно заряженных частиц. [16]
Следовательно, существуют правила отбора ( помимо наложенных симметрией кристалла), которые определяют взаимодействие электронов и фононов в КЯ с внешними возмущениями. Однако при использовании результатов, основанных на симметрии отражения, необходимо соблюдать осторожность. В наиболее часто встречающемся случае квантовой ямы GaAs, окруженной барьерами из AlAs и выращенной на подложке GaAs с ориентацией ( 001), нецентросимметричный кристалл GaAs, строго говоря, не содержит зеркальных плоскостей, перпендикулярных оси роста. Асимметричные КЯ, для которых четность не является хорошим квантовым числом, возникают, когда барьеры с двух сторон ямы различны, но здесь такие КЯ изучаться не будут. [17]
Дополнительные возможности для уточнения пространственной группы дает систематический анализ интенсивности дифракционных лучей. Понятно, что интенсивность любого дифракционного луча зависит от структуры кристалла и в принципе индивидуальна для каждого вещества. АЫ / Ы0бт с интенсивностью в заданном интервале А1 / 1тах, подчиняется некоторым общим закономерностям, которые не зависят от индивидуальности исследуемого вещества, но определяются его симметрией. В частности, это распределение различно для центросимметричных и нецентросимметричных кристаллов. Поэтому, анализируя статистическое распределение по интенсивности лучей, дифрагированных исследуемым кристаллом, можно судить, содержит ли его пространственная группа центры инверсии. К сожалению, этот критерий срабатывает не во всех случаях, так как разница в распределении отражений по интенсивности у центросимметричных кристаллов не столь уж велика. [18]
Дополнительные возможности для уточнения пространственной группы дает систематический анализ интенсивности дифракционных лучей. Понятно, что интенсивность любого дифракционного луча зависит от структуры кристалла и в принципе индивидуальна для каждого вещества. AjV / Л общ с интенсивностью в заданном интервале Д / / / тах, подчиняется некоторым общим закономерностям, которые не зависят от индивидуальности исследуемого вещества, но определяются его симметрией. В частности, это распределение различно для центросим-метричных и нецентросимметричных кристаллов. Поэтому, анализируя статистическое распределение по интенсивности лучей, дифрагированных исследуемым кристаллом, можно судить, содержит ли его пространственная группа центры инверсии. К сожалению, этот критерий срабатывает не во всех случаях, так как разница в распределении отражений по интенсивности у центросиммет-ричных и нецентросимметричных кристаллов не столь уж велика. [19]
Дополнительные возможности для уточнения пространственной группы дает систематический анализ интенсивности дифракционных лучей. Понятно, что интенсивность любого дифракционного луча зависит от структуры кристалла и в принципе индивидуальна для каждого вещества. ДЛ / УА общ с интенсивностью в заданном интервале Л / / / тах, подчиняется некоторым общим закономерностям, которые не зависят от индивидуальности исследуемого вещества, но определяются его симметрией. В частности, это распределение различно для центросим-метричных и нецентросимметричных кристаллов. Поэтому, анализируя статистическое распределение по интенсивности лучей, дифрагированных исследуемым кристаллом, можно судить, содержит ли его пространственная группа центры инверсии. К сожалению, этот критерий срабатывает не во всех случаях, так как разница в распределении отражений по интенсивности у центросиммет-ричных и нецентросимметричных кристаллов не столь уж велика. [20]
Дополнительные возможности для уточнения пространственной группы дает систематический анализ интенсивности дифракционных лучей. Понятно, что интенсивность любого дифракционного луча зависит от структуры кристалла и в принципе индивидуальна для каждого вещества. AN / Nобщ с интенсивностью в заданном интервале А1 / 1тах, подчиняется некоторым общим закономерностям, которые не зависят от индивидуальности исследуемого вещества, но определяются его симметрией. В частности, это распределение различно для центросимметричных и нецентросимметричных кристаллов. Поэтому, анализируя статистическое распределение по интенсивности лучей, дифрагированных исследуемым кристаллом, можно судить, содержит ли его пространственная группа центры инверсии. К сожалению, этот критерий срабатывает не во всех случаях, так как разница в распределении отражений по интенсивности у центросимметричных кристаллов не столь уж велика. [21]
Дополнительные возможности для уточнения пространственной группы дает систематический анализ интенсивности дифракционных лучей. Понятно, что интенсивность любого дифракционного луча зависит от структуры кристалла и в принципе индивидуальна для каждого вещества. AjV / Л общ с интенсивностью в заданном интервале Д / / / тах, подчиняется некоторым общим закономерностям, которые не зависят от индивидуальности исследуемого вещества, но определяются его симметрией. В частности, это распределение различно для центросим-метричных и нецентросимметричных кристаллов. Поэтому, анализируя статистическое распределение по интенсивности лучей, дифрагированных исследуемым кристаллом, можно судить, содержит ли его пространственная группа центры инверсии. К сожалению, этот критерий срабатывает не во всех случаях, так как разница в распределении отражений по интенсивности у центросиммет-ричных и нецентросимметричных кристаллов не столь уж велика. [22]
Дополнительные возможности для уточнения пространственной группы дает систематический анализ интенсивности дифракционных лучей. Понятно, что интенсивность любого дифракционного луча зависит от структуры кристалла и в принципе индивидуальна для каждого вещества. ДЛ / УА общ с интенсивностью в заданном интервале Л / / / тах, подчиняется некоторым общим закономерностям, которые не зависят от индивидуальности исследуемого вещества, но определяются его симметрией. В частности, это распределение различно для центросим-метричных и нецентросимметричных кристаллов. Поэтому, анализируя статистическое распределение по интенсивности лучей, дифрагированных исследуемым кристаллом, можно судить, содержит ли его пространственная группа центры инверсии. К сожалению, этот критерий срабатывает не во всех случаях, так как разница в распределении отражений по интенсивности у центросиммет-ричных и нецентросимметричных кристаллов не столь уж велика. [23]
Поскольку / - F2, модули структурных факторов рассчитать нетрудно, тогда как фазы непосредственно из опыта определить невозможно. В то же время для расчета распределения электронной плотности в элементарной ячейке с помощью синтеза Фурье необходимы как модули, так и фазы структурных факторов. Подходы к решению проблемы фаз могут быть двоякого рода - прямые и косвенные. Косвенные методы более субъективны в том смысле, что они зависят от интерпретации данных исследователем. Например, в методе тяжелого атома первоначально приписывают фазы структурным факторам на основании предположения, что для каждого отражения вклад в фазу обусловлен главным образом тяжелым атомом. Координаты тяжелого атома в ячейке получают в результате интерпретации патерсоновских карт. Прямые же методы определения фаз структурных факторов более объективны в том смысле, что они зависят только от применения математических соотношений. Первоначально прямые методы применялись для определения центросимметричных структур, для которых проблема фаз решается проще по сравнению с общим случаем, однако в настоящее время этими методами решается все большее число структур нецентросимметричных кристаллов. [24]