Cтраница 3
Записать вид матрицы рассеяния (10.29) применительно к очень тонкому кристаллу в первом приближении. Как (10.29) тогда связано с кинематическим приближением и с приближением фазовой решетки. [31]
В затемненном поле зрения и в отраженном свете тонкие кристаллы этого осадка кажутся окрашенными в разные цвета. [32]
Из этой формулы следует, что в случае тонкого кристалла, для которого применима рассматриваемая формула, полная интенсивность бокового пятна прямо пропорциональна толщине кристалла. [33]
Для практического применения вискерсов черзвычайно важно изыскать методы получения длинных тонких кристаллов. [34]
Благодаря явлениям диффракции и интерференции света, наблюдаемым в очень тонких кристаллах, у них замечают различную-окраску в проходящем и отраженном свете. Кристаллы йодистого свинца желтые в проходящем свете кажутся окрашенными во все цвета радуги в отраженном свете. [35]
Кристаллы Т12МоО4 ( желтоватые. [36] |
При наблюдении в затемненном поле зрения и в отраженном свете тонкие кристаллы этого осадка кажутся окрашенными в разные цвета. [37]
Подставляя (14.21) в (14.16), получаем, что в рассматриваемом случае тонкого кристалла формула для потока энергии в центральном пятне совпадает с формулой (13.12), полученной методом теории возмущений. [38]
На рис. 7.1 по данным [339] приведены 1 - спектр люминесценции очень тонкого кристалла ( практически без реабсорбции), 2 - спектр поглощения & ( Х) и 3 - спектр выхода. [39]
На фотографиях отчетливо наблюдаются области ( пакеты) разной травимости с одинаково ориентированными тонкими кристаллами ( рейками) а-фазы. Границы пакетов имеют нечеткий характер. [40]
Согласно распространенному мнению, замедление гидратации СзА в присутствии гипса объясняется образованием тонких кристаллов эттрин-гита на его поверхности. Эта плотная пленка в индукционном периоде разрушается и вновь формируется в течение этого периода. Когда весь сульфат связывается, эттрингит реагирует с С3А, образуя моносульфатную форму гидросуль-фоалюмината. Это превращение происходит при гидратации цемента между 12 - 36 ч с одним экзотермическим пиком. Некоторые добавки могут ускорить или замедлить это превращение. [41]
Наконец, в случае очень высоких уровней интенсивности света или в случае очень тонких кристаллов ток приближается к насыщению, и фото - ЭДС, как видно из уравнения (2.10.1.18), перестает зависеть от интенсивности света. В зависимости от того, больше или меньше единицы становится отношение a / b, происходит перемена знака фото - ЭДС. [42]
При отрицательной температуре обнаружены петли диэлектрического гистерезиса, а в процессе переполяризации очень тонких кристаллов наблюдается доменная структура, однако границы доменов выражены неотчетливо. При температуре до - 60 С и выше в кристаллах исчезает доменная структура и двойное лучепреломление, кристалл становится оптически изотропным и деполяризуется полностью. [44]
Ход лучей в спектрографе типа Иоганна ( ооозначения в тексте. [45] |