Электрооптический кристалл

Cтраница 3

Измерения выполнены с модулятором, у которого толщина электрооптического кристалла BSO равнялась 600 мкм, а тслщ ша слоев парилена составляла 2 - 3 мкм. Характерная сообентость приведенных зависимостей - дифракционная эффективность ц убывает пропорционально 1 / v4 при v 10 лин / мм. Этот вывод экспериментально подтвержден при исследовании другого ПВМС - модулятора ПРИЗ, в котором используется тот же активный элемент - кристалл BSO. [31]

Отклоняющая система на два положения. [32]

Кристалл 2 с естественным двулучепреломле-нием, расположенный за электрооптическим кристаллом, служит для пространственного разделения лучей с различной поляризацией. [33]

Спектральная зависимость оптически индуцированного двулуче-преломлеиия в неактивированном LiNbOa.| Спектры поглощения Li NbOs с примесями Cr, Co, Ni. [34]

В настоящее время многие стороны явления фотопреломления в электрооптических кристаллах остаются невыясненными. [35]

Нелинейность может возникать также искусственно, если в электрооптическом кристалле существует некоторая обратная связь. [36]

Электрически управляемая дифракция света на объемных голограммах в электрооптических кристаллах. [37]

Электрически управляемая дифракция света на объемных голограммах в электрооптических кристаллах / / Письма в ЖТФ. [38]

В разделе 7.4, где рассматривалась пространственная модуляция света электрооптическим кристаллом, были выделены два типа электрооптического эффекта - продольный и поперечный. Продольный эффект - в модуляторах ти-тус, фототитус, ПРОМ, в ПВМС с микроканальным усилителем, а поперечный - в модуляторе ПРИЗ. [39]

На рис. 8.19 показаны конструкции двух электронно-лучевых трубок с электрооптическим кристаллом в качестве мишени - ПВМС типа титус. В приборе, конструкция которого показана на рис. 8.19, а, управляющий электрический сигнал подается на электрод, с помощью которого модулируется ток электронного луча, производящего запись изображения. При этом коэффициент вторичной эмиссии кристалла ДКДР меньше единицы, и, следовательно, поверхность кристалла заряжается отрицательно. Стирание записанной информации производится с помощью специального источника электронов, которым вся поверхность кристалла облучается одновременно и равномерно. В; при таких энергиях электронов коэффициент вторичной эмиссии больше единицы, и поверхность кристалла, теряя электроны, заряжается положительно. [40]

Это достигается в управляемых светофильтрах путем регулирования напряжения на электрооптических кристаллах. Введенные в систему пластинки ADP позволяют при действии на них электрического поля смещать и изменять ширину пропускания фильтра от долей ангстрема до нескольких сотен ангстрем; кроме того, полосу пропускания можно сместить в любую желаемую область. [41]

Фотогальванический эффект - новый механизм нелинейного взаимодействия волн в электрооптических кристаллах / / Квантовая электрон. [42]

При z0 О, когда плоскость заряда смещается в объем электрооптического кристалла или в изолирующий слой, амплитуда модуляции света уменьшается на всех пространственных частотах. [43]

Приведенная чувствительность получена для образца ПВМС, имевшего толщину пластины электрооптического кристалла LiNbO3 500 мкм. Разрешающая способность такого ПВМС относительно невелика. Уменьшение толщины пластины приводит, как известно, к увеличению разрешающей способности и одновременно к уменьшению чувствительности ПВМС. [44]

В результате в освещенных местах считывающий свет изменяет поляризацию при прохождении электрооптического кристалла, что позволяет воспроизводить позитив записанного изображения. Для увеличения контраста электроды на время считывания закорачивают. Стирают запись, равномерно освещая фотопроводник светом, возбуждающим свободные носители. [45]

Страницы: 1 2 3 4