Парамагнитный кристалл
Cтраница 2
Во многих парамагнитных кристаллах может иметься более одного набора парамагнитных ионов, например две системы электронных спинов с различными - факторами или одна система электронных и одна система ядерных спинов. Поэтому мы должны выполнить расчеты, аналогичные проведенным выше, но в которых наряду с взаимодействиями между одинаковыми спинами, принадлежащими одному набору S, нужно учесть взаимодействия между спином S одного набора и спином S другого набора. [16]
В разрезе виден парамагнитный кристалл, помещенный внутрь волновода. [17]
При работе с парамагнитными кристаллами используются квантовые уровни парамагнитных ионов примесного материала, введенного в кристалл. Эти уровни соответствуют различным ориентациям магнитного момента иона относительно внешнего магнитного поля. Расстояние между уровнями зависит от величины внешнего пост, магнитного поля, так что, изменяя поле ( обычно в пределах кя), можно перестраивать усилитель. Для снижения тепловых шумов активная среда усилителя охлаждается до температуры жидкого гелия. Для подкачки обычно используется вспомогат. [19]
При работе с парамагнитными кристаллами используются квантовые уровни парамагнитных ионов примесного материала, введенного в кристалл. Эти уровни соответствуют различным ориентациям магнитного момента иона относительно внешнего магнитного поля. Используется трехвалентный ион хрома Сг в рубине; кроме того - ионы гадолиния Gd3 в этилсульфате лантана, железа Fe. Расстояние между уровнями зависит от величины внешнего пост, магнитного поля, так что, изменяя поле ( обычно в пределах кэ), можно перестраивать усилитель. Для снижения тепловых шумов активная среда усилителя охлаждается до температуры жидкого гелия. Для подкачки обычно используется вспомогат. [21]
В КПУ этого типа парамагнитный кристалл помещен в объемный резонатор. На рис. 11.4 показаны отражательный и проходной резонаторные КПУ. [22]
 |
Уровни энергии парамагнитной частицы во внешнем постоянном магнитном поле. [23] |
В парамагнитных усилителях применяются парамагнитные кристаллы, а не изолированные парамагнитные частицы. В кристаллической решетке диамагнитного вещества парамагнитные ионы подвергаются влиянию электрического поля решетки. Это приводит к существенному изменению картины возможных энергетических уровней, изображенных на рис. 12.6. Внутри-кристаллическое поле резко ослабляет орбитальный магнитный момент и сводит магнитный момент иона в основном к спиновому моменту. Это объясняется тем, что в кристаллической решетке электроны в атомах движутся по своим орбитам в различных направлениях, и величина результирующего орбитального момента очень мала. [24]
ЭПР наблюдается, помимо парамагнитных кристаллов, и в др. структурах, в частности в свободных радикалах и полупроводниках. [25]
Картина энергетических уровней ионов в парамагнитных кристаллах осложняется из-за наличия внутреннего электрического поля кристаллической решетки. [26]
 |
Энергетические уровни электрона во внешнем магнитном поле. [27] |
Картина энергетических уровней ионов в парамагнитных кристаллах осложняется из-за наличия внутреннего электрического поля кристаллической решетки. [28]
 |
Магнитная элементарная ячейка закиси марганца МпО. [29] |
В общем случае магнитные моменты атомов парамагнитного кристалла располагаются хаотически. Магнитное рассеяние оказывается вследствие этого некогерентным и дает диффузный фон, быстро спадающий с ростом брэгговского угла. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5