Cтраница 1
![]() |
Схема прикатодного слоя при положительном заряде поверхности и сравнительные размеры распространенных частиц ( ДЭС - двойной электрический слой. [1] |
Кристаллизация кадмия выявляется вначале в виде субмикро-образований на отдельных участках поверхности. Через 15 с процесс явно распространяется в тангенциальном направлении. Полное заращивание поверхности вокруг частиц достигается лишь через 30 - 40 с. Резкое различие в характере протекания процесса в разных электролитах обусловлено их свойствами и разной скоростью адсорбции. [2]
При добавлении к кадмию небольших количеств висмута температура кристаллизации кадмия из расплава ( кадмий здесь можно считать растворителем) понижается по сравнению с температурой кристаллизации чистого кадмия. Это является следствием закона Рауля ( см. гл. При небольших концентрациях растворенного вещества понижение температуры кристаллизации прямо пропорционально количеству добавленного вещества, при более высоких концентрациях линейность не соблюдается. [3]
Пусть жидкая фаза состава М охлаждается до точки MI, в которой начинается кристаллизация кадмия. При дальнейшем охлаждении температура кристаллизации понижается до точки М2; линия М М отвечает кристаллизации кадмия. [4]
Итак, линия АЕ характеризует процесс кристаллизации висмута, а линия BE - процесс кристаллизации кадмия из жидких сплавов. [5]
Таким образом, линия АЕ характеризует процесс кристаллизации висмута, а линия BE - процесс кристаллизации кадмия из жидких сплавов. [6]
![]() |
Диаграмма состояния двухкомпонентной системы кадмий - висмут ( а. [7] |
В точке О, лежащей на пересечении кривых АО и ОВ, происходит как кристаллизация висмута, так и кристаллизация кадмия. Эта точка называется эвтектической. [8]
Надо, однако, заметить, что кристаллы не всегда растут по спиралям. Например, при кристаллизации кадмия из пара наблюдается пластинчатый рост. [9]
При охлаждеии бинарного расплава, отвечающего фигуративной точке Ь, кристаллизация протекает иначе. При дальнейшем отнятии теплоты начинается кристаллизация кадмия. По мере выделения кадмия его содержание в расплаве постепенно уменьшается, а следовательно, температура, необходимая для дальнейшей кристаллизации, непрерывно понижается. [10]
При охлаждении бинарного расплава, отвечающего фигуративной точке Ъ, кристаллизация протекает иначе. При дальнейшем отнятии теплоты начинается кристаллизация кадмия. [11]
При охлаждении бинарного расплава, отвечающего фигуративной точке Ь, кристаллизация протекает иначе. При дальнейшем отнятии теплота начинается кристаллизация кадмия. По мере выделения кадмия его содержание в расплаве постепенно уменьшается, а следовательно, температура, необходимая для дальнейшей кристаллизации, непрерывно понижается. [12]
Точка а отвечает одной фазе-жидкому кадмию. Число фаз не меняется, пока не будет достигнута температура кристаллизации кадмия 321 С. [13]
![]() |
Диаграмма состояния двукомпонентной системы кадмий - висмут. [14] |
Точка а отвечает одной фазе - жидкому кадмию. Число фаз не меняется, пока не будет достигнута температура кристаллизации кадмия 321 С. [15]