Посторонний атом

Cтраница 2

Наличие постороннего атома в жидкости приведет к появлению новой ветви энергетического спектра, соответствующей движению этого атома через жидкость; разумеется, ввиду сильного взаимодействия атома примеси с атомами жидкости это движение является в действительности коллективным эффектом, в котором принимают участие также и атомы гелия. [16]

В общем посторонние атомы, хемосорбированные на любых формах углерода, очень прочно связаны с поверхностью ковалент-ными связями. Удаление этих атомов без одновременного удаления поверхностных атомов углерода почти невозможно. Даже проведение обменных реакций является затруднительным. [17]

Движению каждого постороннего атома через гелий сопоставляется определенный вектор импульса, от которого непрерывным образом зависит энергия. Мы получаем непрерывный энергетический спектр, характеризуемый для каждого сорта посторонних атомов определенной зависимостью энергии от импульса. Эта зависимость может быть различна для различных сортов атомов. [18]

Некоторые связи посторонних атомов с углеродом могут быть необычайно прочными. Так, небольшие количества кислорода удерживаются в коксе очень прочно. Еще прочнее удерживаются азот и сера; до 65 % их может переходить в кокс. [19]

В твердых растворах посторонние атомы приводят к чрезвычайно сильному изменению физических свойств, например электропроводности. Электропроводность уменьшается с увеличением процентного содержания посторонних атомов, проходит через минимум и затем снова увеличивается до величины, отвечающей электропроводности прибавляемого элемента. Электропроводность может изменяться в 10 раз при прибавлении относительно малого числа атомов. Изменение теплопроводности происходит аналогично изменению электропроводности. Твердые растворы обычно имеют немного меньшие электро - и теплопроводности, чем их компоненты. Посторонние атомы часто являются причиной ослабления механических свойств решетки, но могут создавать и упрочнение ее. Другие свойства твердых растворов также изменяются. [20]

КР хозяина внедряются посторонние атомы, размеры к-рых, как правило, намного меньше размеров атомов хозяина. [21]

V - число посторонних атомов, Лт - число атомов кристалла, АО - длина свободного пробега фононов в чистом веществе, а - период решетки, a S - поперечное сечение рассеяния фонона на одном атоме, выраженное в единицах площади а2 кристаллической ячейки. [22]

Влияние одноатомных слоев посторонних атомов, присутствующих на поверхности металла, несомненно, связано с изменением потенциала двойного слоя на поверхности. Если на поверхность металла наносятся положительные ионы того же металла, причем недостаток электронов пополняется через проволоку ( что, по существу, не отличается от процесса электроосаждения металла на том же металле), то свободные электроны притекают к вновь образованному поверхностному слою, и потенциал двойного слоя не изменяется в результате образования нового поверхностного слоя. Но, если осаждаемый на поверхности металл имеет меньшее сродство к электронам, чем подлежащий металл, то он стремится отдать свои валентные электроны более глубоким слоям, в результате чего образуется двойной слой, обращенный положительной стороной наружу. Это создает разность потенциалов с положительным потенциалом снаружи и, таким образом, понижает работу выхода. [23]

Если при введении посторонних атомов, хаотически располагающихся в решетке, энергия ее возрастает, то образующийся твердый раствор нестабилен и система проявляет тенденцию к образованию двух самостоятельных кристаллических фаз. С другой стороны, если введение посторонних атомов сильно понижает энергию решетки, система стремится к образованию новой упорядоченной фазы. При незначительном изменении энергии повышение энтропии вследствие неупорядоченного размещения посторонних атомов приводит к снижению свободной энергии, и система становится стабильной. [24]

В среднем из посторонних атомов наиболее прочно удерживается водород, а наименее прочно - кислород. [25]

Сил же притяжения посторонних атомов недостаточно для того, чтобы противостоять усилившемуся тепловому движению, поэтому атомы отрываются. [26]

Присутствие больших концентраций посторонних атомов влияет на абсорбцию молибдена. [27]

Выше указывалось, что посторонние атомы могут изменять активность поверхности за счет изменения ее состава и за счет возможности образования микрограней, параллельных различным кристаллическим плоскостям. [28]

В решетку могут входить посторонние атомы, которые замещают атомы в нормальных узлах решетки, или, если атомы примеси достаточно малы, они занимают положение в междуузлиях решетки. Когда атом примеси находится в обычном узле решетки, мы будем называть его включенным в решетку. [29]

Электроположительные и электроотрицательные атомы образуют на поверхности проводника положительно ( а и отрицательно ( б заряженные слои. [30]

Страницы: 1 2 3 4