Кристаллодержатель
Cтраница 3
 |
Применение механической задержки. [31] |
Оба указанных кристаллодержателя одинаково пригодны для приема как по теневому методу, так и по методу отраженного сигнала. [32]
Беекорпусные без кристаллодержателя с контактными площадками. Тип диода и схема соединения: электродов с контактными площадками приводятся на сопроводительной. [33]
Вескорпусные без кристаллодержателя с контактными нло-щадками. Тип диода и схема соединения электродов с контактными площадками приводятся на сопроводительной этикетке групповой тары. [34]
Бескорпусные на кристаллодержателе с жесткими выводами с защитным покрытием. Тип диода указывается на таре. Диод 2А524А - 4 маркируется одной красной точкой у положительного электрода, 2А524Б - 4 - двумя красными точками. [35]
Здесь на кристаллодержателе / с контактным выводом 2 крепят кристалл германия с вплавленным кусочком ( каплей) индия. [36]
Бескорпусные на кристаллодержателе с жесткими выводами с защитным покрытием. Тип диода указывается на таре. Диод 2А524А - 4 маркируется одной красной точкой у положительного электрода, 2А524Б - 4 - двумя красными точками. [37]
Бескорпусный на керамическом кристаллодержателе с металлизированными контактными выступами и покрытым эмалью кристаллом. Обозначение типа приводится в этикетке. [38]
Объект вмонтирован в кристаллодержатель, который помещают в камеру объекта. Механизм кристаллодержателя обеспечивает перемещение объекта в горизонтальной плоскости, наклон его по отношению к падающему пучку электронов и, наконец, вращение объекта вокруг оптической оси электронографа. Электронограф снабжают дополнительными специальными держателями образцов с нагревательным и охлаждающим элементами. [39]
Перед нанесением клея кристаллодержатель транзистора и монтажная плата должны быть прогреты при 60 С в течение 6 мин. Клей должен быть нанесен тонким равномерным слоем, соединение склеиваемых поверхностей производить прижатием так, чтобы избыток клея равномерно выступал из-под основания. Не допускается наличие щелей. [40]
Перед нанесением клея кристаллодержатель транзистора и монтажная плата должны быть прогреты при 65 С в течение 6 мин. Клей должен быть нанесен тонким равномерным слоем, соединение склеиваемых поверхностей производить прижатием так, чтобы избыток клея равномерно выступал из-под основания. Не допускается наличие щелей и свищей. [41]
Перед нанесением клея кристаллодержатель транзистора и монтажная плата должны быть прогреты при 60 С в течение 6 мин. Клей должен быть нанесен тонким равномерным слоем, соединение склеиваемых поверхностей производить прижатием так, чтобы избыток клея равномерно выступал из-под основания. Не допускается наличие щелей и свищей. [42]
Перед нанесением клея кристаллодержатель сборки и монтажная плата должны быть прогреты при 60 С в течение 6 мин. Клей должен быть нанесен тонким равномерным слоем, соединение склеиваемых поверхностей производить прижатием так, чтобы избыток клея равномерно выступал из-под основания. Не допускается наличие щелей и свищей. [43]
Перед нанесением клея кристаллодержатель транзистора и монтажная плата должны быть прогреты при 60 С в течение 5 - 6 мин. Соединение склеиваемых поверхностей производится прижатием так, чтобы избыток клея равномерно выступал из - под основания. При замене транзистора в гибридной схеме необходимо производить приклеивание его на очищенную поверхность. Не допускается наличие щелей и свищей. [44]
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с контактными площадками для монтажа в аппаратуру. Обозначение типа приводится на групповой таре. [45]
Страницы: 1 2 3 4