Кристаллофос-фор

Cтраница 2

Поскольку в настоящей книге рассматриваются люминесцентные и адсорбционные свойства веществ, являющихся кристаллофосфорами, в дальнейшем, кроме специально оговоренных случаев, мы будем говорить о люминесценции именно кристаллофос-форов. [16]

В этой задаче изучается явление термолюминесценции, кристаллофосфбров, которое состоит в следующем. Кристаллофос-фор облучают возбуждающим светом, вызывающим его свечение. Вскоре после окончания облучения он перестает светиться. Если этот несветящийся кристаллофосфор подвергнуть постепенному нагреванию, то он вновь начинает люминесцировать. При дальнейшем увеличении температуры яркость его свечения вначале нарастает, а затем падает. Таких нарастаний и спадов яркости люминесценции во время нагревания может быть несколько, после чего кристаллофосфор перестает светиться. Для того чтобы повторно наблюдать это явление, необходимо охладить фосфор и снова облучить его возбуждающим светом. Повторное нагревание без предварительного возбуждения не приводит к свечению. [17]

Те с кислородсодержащей солью металла или смеси Н6ТеО6 с карбонатом металла; применяют как сегнетоэлектрики, кристаллофос-форы ( активированные и6), ионообмешшки в аналит. [18]

Широкое практическое применение находят неорганические кристаллические люминофоры, называемые кристал-лофосфорами или, проще, фосфорами ( не надо путать с химическим элементом фосфором. Они используются, например, в светящихся циферблатах часов. Кристаллофос-форы синтезируют, прокаливая специально приготовленные смеси, включающие в себя основное вещество и приглеси активаторов, играющих роль центров люминесценции. Все кристаллофосфоры относятся к диэлектрикам или полупроводникам. [19]

Схема направленной диффузии активатора в механической смеси двух кристаллических веществ при прокаливании Цифры в кружках означают температуру плавления, С. [20]

Очень интересные с точки зрения аналитической химии данные содержит работа Трофимова [112] по диффузии РЗЭ-активаторов в разных кристаллах. Автор приводит схему ( рис. 25), показывающую направление диффузии РЗЭ от одного кристалла к другому ( являющемуся акцептором) при высокой температуре. Наилучшими акцепторами для РЗЭ, по данным автора, являются ThO2 и СаМоО4, превращающиеся в присутствии РЗЭ в отличные кристаллофос-форы. [21]

Максимальное количество электронов, которое может находиться в данной зоне, очевидно, равно 2п, где п - число атомов. Зона называется заполненной, если количество электронов в ней равно 2п, частично заполненной, если меньше 2п, и незаполненной, если электроны отсутствуют. Заполненная и частично заполненная зоны образуются путем слияния нормальных уровней, незаполненная - путем слияния возбужденных уровней. Наличие частично заполненной зоны характерно только для кристаллической решетки металлов, поэтому этот вид зон мы в дальнейшем рассматривать не будем. Заполненные зоны по шкале энергий расположены ниже, чем незаполненные. Расстояние между этими зонами определяется величиной от единиц до десятков эВ; для полупроводников это расстояние имеет величину нескольких эВ и меньше, а для кристаллофос-форов значительно больше. Область между зонами является запрещенной, и пребывание в ней электронов мало вероятно. [22]

Страницы: 1 2