Кристаллофосфор
Cтраница 3
Свечение кристаллофосфоров описывается зонной теорией твердого тела. Кристалло-фосфоры представляют собой ионные кристаллы с вкрапленными в них ионами активатора и плавня. Электроны атомов металла связываются с атомами металлоида. Хотя отделение электронов в этом случае неполное, образующиеся отрицательные и положительные квазионы производят друг на друга сильное электростатическое действие, обеспечивающее большую прочность таких кристаллов. [31]
У кристаллофосфоров ширина запрещенной зоны варьируется от 2 до 10 эВ, и поэтому они: принадлежат к числу плохих полупроводников. Твердые тела, имеющие очень широкую запрещенную зону от 10 эВ и выше, называются изоляторами. [33]
Возбуждение кристаллофосфора осуществляется достаточно большими квантами, превосходящими по величине ширину запрещенной зоны. В валентной зоне, в месте, с которого ушел электрон, образуется дырка, обладающая свойствами положительного заряда и способная передвигаться по валентной зоне. [34]
Большинство кристаллофосфоров имеет несколько систем ловушек разной глубины, которые при возбуждении заполняются электронами. При нагревании фосфора электроны прежде всего высвобождаются с мелких ловушек, затем с ловушек все более глубоких. Если глубины ловушек отличаются довольно сильно, то высвобождение каждой из них будет происходить в различных температурных интервалах. [35]
Для кристаллофосфоров наиболее характерно длительное свечение, обусловленное рекомбинационным свечением, но иногда и свечением дискретных центров. [36]
Образование кристаллофосфора СаО РЬ позволяет с большой чувствительностью производить открытие ионов свинца [47, 50, 64] следующим образом. [37]
У кристаллофосфора, имеющего несколько активаторов, кроме свойств, объясняющихся врос. Рассмотрим некоторые случаи подобного сложного взаимодействия активаторов. [38]
 |
Квадратичная зависимость межпу интенсивностью возбуждения Е и начальной яркостью свечения с70 при больших интенсивнсстях возбуждения ( ZnS Си-фосфоры. Возбужденно импульсное. [39] |
Принадлежность кристаллофосфоров к классу полупроводников заставляет ожидать, что и в них могут возникать вышеуказанные явления, в частности внутренний фотоэффект, производимый лучами оптических частот. В результате фотоэффекта внутри кристаллофосфора появляются свободные электроны, поэтому внутренний фотоэффект должен быть теснейшим образом связан с развитием рекомбинационного свечения. [40]
Для ще-лочногалоидных кристаллофосфоров, активированных ртуте-подобными ионами, было показано, что расположение потенциальных кривых основного и возбужденного состояний может быть таково, что поглощение кванта света большой энергии приводит к безызлучательному переходу. [41]
Для одноактиваторных кристаллофосфоров, дающих излучение, состоящее из ряда полос, иногда отмечается следующая закономерность: с изменением концентрации активатора изменяется относительная интенсивность полос. Так, в случае СаО РЬ, имеющего два максимума с ч 370 ммк и Я2 640 ммк, по мере увеличения концентрации свинца, увеличивается интенсивность длинноволновой полосы ( сРьмакс 1 вес. Подобным образом ведет себя и таллий, дающий два максимума излучения в фосфоре KI - T1 при облучении фосфора коротковолновым ультрафиолетовым светом: максимальное развитие длинноволновая полоса излучения получает при содержании таллия около 1 вес. [43]
У реальных кристаллофосфоров в интервале температур от - 196 С ( температура жидкого азота) до 200 - 300 С ( до области температурного тушения) обычно обнаруживается несколько максимумов на кривой термического высвечивания, указывающих на существование нескольких систем уровней захвата различной глубины. Для таких фосфоров описанные выше методы определения Е оказываются неприменимыми. Это легко показать на примере фосфора с двумя системами уровней различной глубины. [44]
Образование кристаллофосфора KI Sn позволяет обнаруживать Sn u растворе. [45]
Страницы: 1 2 3 4