Критич

Cтраница 1

Зависимость логарифма концентрации электронов. п ( 1 / п от 1 / Г в полупроводнике п-тнаа. [1]

Критич, концентрация NKP, при к-рой появляется электропроводность металлич. [2]

Зависимость критиче - небольшим изменениям критической ской частоты мельканий от ярко - частоты мельканий. [3]

Предельные D из критич. В случаях, когда выбранный D почему-либо превышает пределы фиг. Ва ( см. Пропеллер, Располагаемая мощность в зависимости or v и Я ( характеристика винто-моторной группы) в этом способе для винта фиксированного шага ( ВФШ) получается след, обр. [4]

Однако значение наблюдаемой критич, скорости vc примерно на два порядка ниже указанной величины, что связано с рождением в жидкости квантованных вихрей. [5]

Типичная картина ступеней Фиске контакта Sn - SnOi - Sn при наличии магнитного поля. [6]

Необычно происходит изменение критич. [7]

Это позволяет рассматривать критич. АК сразу определяется как объект с ( IV - 1) внутр. [8]

Наблюдается также изменение критич. [9]

С этим связаны критич. [10]

Знак равенства соответствует критич. [11]

В таблице приведены критич. [12]

Знак равенства соответствует критич. [13]

Когда концентрация достигает критич. Тк обращается в пуль. Когда концентрация достигает 0 9 от критической, обращается в нуль энергетич. Это приводит к линейной температурной зависимости электронной теплоемкости. [14]

Заслуживает изучения и критич. [15]

Страницы: 1 2 3 4