Критичность

Cтраница 3

Источник пом. пл пом. отрА / 7вых / 2 - 2фт. [31]

С целью снижения критичности ячейки к колебаниям напряжения питания целесообразно сделать изменения Е и Uon взаимосвязанными. [32]

В связи с критичностью некоторых магнитных параметров к химической однородности феррита возникает вопрос о методах ее проверки. Обычные методы контроля гомогенности, основанные на использовании химического, рентгеновского и кристалло-оптического анализа, не способны уловить остаточную химиче-скую неоднородность материалов. Резницкий [2] предложил использовать для этой цели метод истинной теплоемкости. Измеряя истинную теплоемкость феррита магния, он обнаружил, что характер изменения Ср вблизи точки Кюри существенно зависит от способа синтеза феррита. [33]

Диаграммы зависимости А - ю от направления распространения. [34]

Мы видим, что критичность к настройке по углам ф обычно весьма велика. В перпендикулярном направлении критичность к настройке невелика, поскольку показатели преломления не зависят от соответствующего угла 9, и определяется плавной зависимостью компонент нелинейного тензора от углов. [35]

Парамонов и др. О критичности к деформациям резонаторов с переменным по сечению пропусканием призменных зеркал. [36]

Недостатком коротколинзовых спектрометров является критичность при настройке. Для упрощения настройки источник, преграды и коллектор жестко связывают со стенками вакуумной камеры ко-ротколинзового спектрометра. [37]

Геометрическое представление является квадратичная сходимость, метода Ньютона. которая означает, что на каждой. [38]

Отметим, что кроме критичности к начальному приближению известным недостатком метода Ньютона является необходимость многократного вычисления и обращения матрицы Якоби. [39]

Логическая схема на элементах И2Л. [40]

ПЭ биполярного транзистора является критичность к разбросу входных характеристик из-за неравномерного распределения входных токов в нагрузке. Проблема перехвата тока в элементе И2Л при подключении нескольких элементов нагрузки к одному выходу решается путем создания многоколлекторного выхода логического элемента. [41]

Это соотношение хорошо иллюстрирует критичность коэффициента усиления к величине отношения / о / / по и регенеративный характер усиления. [42]

Смена знака свидетельствует о критичности концентрации композиции в пределах до 50 - 65 %, а также об изменении типа проводимости с металлического на полупроводниковый. С возрастанием удельного сопротивления до значений 4 Мом / Q ТКС составляет ( 1 0 2) 10 - 4 1 / С. С увеличением температуры ТКС компо-аиции на основе Bi2PdO4 растет благодаря повышению подвижности носителей. [43]

Такое уточнение позволяет выяснить критичность полученных оптимальных решений к погрешностям исходных данных и областям изменения существенных переменных. Итерационную процедуру прекращают тогда, когда получают удовлетворительные решения задач шестого класса, так как именно для их правильного решения ставятся и решаются задачи первых пяти классов. [44]

Отказы различаются по степени критичности. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5