Критичность - схема
Cтраница 1
 |
Принципиальная схема сдвигающего регистра на модулях потенциальной системы элементов. [1] |
Критичность схемы к длительности импульса управления и наличие электромагнитной ЛЗ ограничивают области применения рассмотренного регистра. [2]
Для обеспечения стабильности амплитуды напряжения и снижения критичности схемы к коэффициенту усиления транзистора устанавливаем режим насыщения. [3]
Это приводит к появлению весьма значительной погрешности и критичности схемы к изменению температуры. Быстродействие схемы также ограничено из-за того, что триоды работают в насыщении. [4]
Приработочные схемно-конструктивные отказы объясняются несовершенством аппаратуры, выражающимся критичностью схемы и конструкции к воздействию дестабилизирующих факторов в начальный период работы аппаратуры. [5]
Это определяется в первую очередь тем, что конфигурация схемы определяет-устойчивость некоторых электрических процессов в ней и критичность схемы к изменениям параметров транзистора под действием тех или иных причин. [6]
Недостатком фазового метода являются худшие, чем при фильтровом методе, параметры сформированного сигнала ( подавление несущей до 40 дБ, подавление второй боковой частоты до 30 дБ) и критичность схемы к параметрам элементов фазовращателей и балансных модуляторов. Однако однополосный сигнал, полученный фазовым методом. [7]
Значительно сложнее по сравнению с двоичной выполнить десятичную индикацию декадной пересчетной схемы на индикаторных лампочках. Система индикации усложняется введением меж-триггерных связей, возрастает критичность схемы к разбросу параметров используемых ламп, снижается надежность отсчета. Этот способ, по-видимому, не может быть рекомендован для использования в практических транзисторных схемах. [8]
Приработочные отказы комплектующих элементов объясняются случайными нарушениями, возникающими в процессе их производства, транспортирования, хранения, и приводят к скрытым дефектам, трудно обнаруживаемым в процессе контроля. Приработочные схемно-конструкторские отказы объясняются несовершенством аппаратуры, выражающимся критичностью схемы и конструкции к воздействию дестабилизирующих факторов в начальный период работы аппаратуры. Приработочные технологические отказы являются следствием несовершенства ТП. Приработочные производственные отказы являются результатом случайных нарушений ТП. При правильно выбранном времени технологической тренировки среднее время наработки на отказ аппаратуры в начальный период эксплуатации увеличивается в 2 - 3 раза. Определяют период приработки расчетным или графическим методом. Расчетный метод предполагает использование предварительно накопленной информации об отказах на этапе производства и эксплуатации РЭА. Графический метод состоит в построении экспериментальным путем зависимости изменения потока отказов от времени работы аппаратуры. [9]
Равенство ( 10а) выполняется достаточно строго при включении в цепь эмиттера дополнительного сопротивления обратной связи. Как известно, включение в цепь эмиттера сопротивления обратной связи стабилизирует параметры каскада по переменному току, уменьшает критичность схемы к замене транзисторов. В двухтактных каскадах отдельные сопротивления в цепях эмиттера кроме того симметрируют также режимы плеч каскада по постоянному току. [10]
Для создания достаточно простой и надежно работающей, схемы и для получения максимального сигнала с фотоприемника дрейф темнового тока должен быть ограничен. Однако у германиевых фотодиодов с большой светочувствительной площадью уменьшение величины начального темнового тока и его роста с температурой связано с большими технологическими трудностями. Для получения максимально возможного сигнала необходимо увеличение JRH в схеме питания ( рис. 1), но это еще больше повышает критичность схемы к росту темнового тока. Реальной возможностью уменьшить влияние дрейфа темнового тока является компенсация изменения динамического диапазона. [11]
Для устройств с поочередным интегрированием сигналов существуют определенные возможности воспроизведения функций с помощью их аппроксимации степенным рядом с дробными показателями степени. При этом, как и для развертывающих вычислителей ( § 4.3), с помощью специализированных ФП воспроизводятся экспоненциальная и логарифмические зависимости, а реализация ряда в целом сводится к организации соответствующей взаимосвязи указанных специализированных ФП. В таком устройстве удается избежать влияния нестабильности емкости только одного интегрирующего конденсатора и нестабильности опорного напряжения Uo, а критичность схемы к емкостям остальных конденсаторов сохраняется. [12]
Страницы: 1