Атомы-акцептор

Cтраница 1

Жесткие и мягкие кислоты и основания. [1]

Атомы-акцепторы маленькие, несут высокий положительный заряд; на валентных оболочках не имеется неподеленных электронных пар. Обладают низкой поляризуемостью и высокой электроотрицательностью. [2]

Ты догадываешься, что атомы-доноры зоны и, ионизированные положительно, притянут атомы-акцепторы зоны р, ионизированные отрицательно. [3]

Атомы трехвалентных примесей, обусловливающих дырочную проводимость, называются акцепторами, так как они забирают электроны из валентной зоны. При этом атомы-акцепторы становятся отрицательно заряженными ионами, жестко связанными с кристаллической решеткой полупроводника. [4]

Зависимость lg а от 1 / Т для Си О по Курчатову и Жузе. [5]

Ьр, об измерении которой говорится в следующем разделе настоящего параграфа. Концентрации примесей указаны в подписи к рисунку. На рисунке хорошо виден как переход к собственной проводимости при повышении Т ( участок А), так и уменьшение Q с увеличением концентрации примесей. Для образцов 6, 7, 8 энергия Q настолько мала, что уже при очень низких температурах все атомы-акцепторы лишены дырок. [6]

Стабилизация я - конфигурации ( смещение указанного равновесия влево) возможна при избытке электронов, отдаваемых металлом. Поэтому металлы, являющиеся сильными донорами электронов ( например, переходные металлы), стабилизируя реконфигурацию валентных электронов углерода, способствуют образованию карбидов с высоким содержанием углерода и ковалентными связями С - С. Однако тенденция к образованию непосредственных связей С - С в карбидах гораздо более ограничена, чем в боридах, особенно при пониженной донорной способности атомов-партнеров по связи. Снижение стабильности в / - конфигурации валентных атомов углерода в случае, если партнером по связи выступают атомы с очень слабой донорной способностью ( тем более атомы-акцепторы), приводит к образованию весьма неустойчивых карбидных фаз или вообще к отсутствию их образования. В основном для карбидов характерна ковалентно-металлическая связь, изменяющаяся в некоторых соединениях на ковалентно-ионную, а в соединениях углерода с элементами, близкими к нему по электроотрицательности, на преимущественно ковалентную. [7]

Схема движения зарядоносителей через р-л-переход при подключении полюсов источника питания к сторонам сложного полупроводника соотает-ственно знаку зарядо-носителя.| Схема движения зарядоносителей через p - n - переход при подключении полюсов источника питания к сторонам сложного полупроводника с обратным по знаку зарядоноси-телем. [8]

Если объединяются два полупроводника п-и / хгипов, то р-и-переход не возникает из-за поверхностного состояния. Этот тончайший слой наделяет сложный полупроводник новыми удивительными свойствами, широко используемыми в радиоэлектронике. Отрицательные ионы, образованные трехвалентными атомами примеси, отталкивают на границах оооих полупроводников свободные электроны, идущие от Полупроводника с пятивалентными примесями. В прилегающей к границе касания области все атомы-акцепторы заполняются электронами. [9]

Страницы: 1