Домен - обратная намагниченность
Cтраница 1
Домен обратной намагниченности в канале а, образуется только в том случае, если доменные верхушки одновременно присутствуют в каналах х и у. Таким образом, выполняется функция z ху. [1]
 |
ЗУ на феррнтовых магнитопроводах. [2] |
Информация хранится внутри каналов доменами обратной намагниченности, а продвигается и обрабатывается под действием импульсов управляющего поля, вызывающего рост и взаимодействие доменов в каналах. Сохранение зародышей обеспечивается действием удерживающих полей, компенсирующих действие стирающих полей. Поля продвижения, стирания и удержания создаются токами, протекающими по шинам, проходящим в определенных местах пленки. [3]
В исходном состоянии пластина ортоферрита монодоменизирована за исключением периферийных участков, где с помощью постоянных магнитов удерживаются полосовые зародышевые домены обратной намагниченности. Поляризатор и анализатор устанавливают в такое положение, что контраст между доменами разного типа максимален, причем периферийные зародышевые домены света не пропускают. Для ввода информации сначала в шины записи подают сигнал такой полярности, что темные домены от зародышей на периферии распространяются на всю пластину, за исключением информационных ячеек, закрытых масками. Далее путем подачи управляющих сигналов в ортогональные пары шин записи добиваются коллапсирования светлых доменов в тех информационных ячейках, где предполагается записать нули двоичной информации. В целом пластина вместе с масками для проходящего света непрозрачна, и на фотоприемнике сигнал отсутствует. [4]
Если к ТМП, намагниченной вдоль ОЛН до насыщения, приложить достаточное локальное встречное поле, то процессом вращения спиновых моментов образуются домены обратной намагниченности. Минимальное значение HN такого поля называется пороговым полем доменообразования, а отношение HNIHW - коэффициентом доменообразования. С увеличением коэффициента доменообразования расширяются пределы изменения напряженности продвигающего поля, повышается надежность работы устройства и расширяются возможности увеличения скорости v (16.7), ибо HNHHW. Продвижение границы созданного домена обратной намагниченности происходит под действием поля HHN, Существенной трудностью, возникающей при создании схем с ПМД в узких каналах, является образование ложных обратных доменов. [5]
Предполагается, что ППГ образуется в тех ферритах, для которых выполняется условие Нп На, где Н - среднее статистическое магнитное поле, необходимое для образования доменов обратной намагниченности, а Яш - среднестатистическое критическое магнитное поле, при превышении которого домены, направление намагниченности которых совпадает с направлением приложенного поля, начинают расти необратимо. [6]
Схема состоит из двух систем параллельных проводников ( I), расположенных одна над другой и разделенных изолирующим прозрачным слоем диэлектрика. Для простоты предположим, что поле зарождения домена обратной намагниченности не превышает козрцитивность или что в ячейке уже существует зародыш домена обратной намагниченности. [7]
Если нагреть ферромагнетик, состоящий из двух противоположных по намагниченности магнитных подрешеток, до температуры, равной точке компенсации, то наблюдается резкое возрастание анизотропии и коэрцитивной силы. Небольшое отклонение от Тк приводит к значительному падению Яс и уменьшению поля зарождения доменов обратной намагниченности. [8]
Схема состоит из двух систем параллельных проводников ( I), расположенных одна над другой и разделенных изолирующим прозрачным слоем диэлектрика. Для простоты предположим, что поле зарождения домена обратной намагниченности не превышает козрцитивность или что в ячейке уже существует зародыш домена обратной намагниченности. [9]
Со со связующими наблюдается влияние плотности упаковки на значение коэрцитивной силы, что можно приписать влиянию магнитно-статического взаимодействия между частицами. Наличие перечисленных фактов свидетельствует о том, что процесс перемагничивания соединений R-Со вероятно происходит не путем вращения векторов намагниченности, а путем зарождения и развития доменов обратной намагниченности или развития сохранившихся доменов обратной намагниченности. [10]
Со со связующими наблюдается влияние плотности упаковки на значение коэрцитивной силы, что можно приписать влиянию магнитно-статического взаимодействия между частицами. Наличие перечисленных фактов свидетельствует о том, что процесс перемагничивания соединений R-Со вероятно происходит не путем вращения векторов намагниченности, а путем зарождения и развития доменов обратной намагниченности или развития сохранившихся доменов обратной намагниченности. [11]
Быстродействие устройств с подвижными плоскими доменами ( ПМД) определяется размерами структуры и при совершенствовании технологии может достигнуть 10е бит / с. При этом можно внешним полем переключать намагниченность только внутри каналов, расположенных вдоль ( или под некоторым углом) оси легкого намагничивания и заранее имеющих специально созданные зародыши обратной намагниченности, без переключения высококоэрцитивного массива. Переключение намагниченности происходит под действием продвигающих полей, направленных навстречу общей намагниченности пленки, за счет роста верхушек зародышей доменов обратной намагниченности. [12]
Если к ТМП, намагниченной вдоль ОЛН до насыщения, приложить достаточное локальное встречное поле, то процессом вращения спиновых моментов образуются домены обратной намагниченности. Минимальное значение HN такого поля называется пороговым полем доменообразования, а отношение HNIHW - коэффициентом доменообразования. С увеличением коэффициента доменообразования расширяются пределы изменения напряженности продвигающего поля, повышается надежность работы устройства и расширяются возможности увеличения скорости v (16.7), ибо HNHHW. Продвижение границы созданного домена обратной намагниченности происходит под действием поля HHN, Существенной трудностью, возникающей при создании схем с ПМД в узких каналах, является образование ложных обратных доменов. [13]
 |
Начальная стадия образования доменных границ при переключении ( а и ее влияние на петлю гистерезиса ( б. [14] |
Под продолжающимся воздействием приложенного сигнала происходит образование новых границ и рост старых. Лишь после слияния отдельных границ в две сплошные параллельные стенки дальнейшее их смещение будет происходить так, как рассматривалось раньше. Подобные же явления происходят и при синусоидальном напряжении, о чем свидетельствуют выступы на типичной петле гистерезиса ( рис. 10.20, б), снятой при частоте в несколько килогерц. Из приведенной на рисунке петли наглядно видно, что поле, соответствующее образованию границ доменов обратной намагниченности, больше поля, требуемого для поддержания движения этих границ. [15]
Страницы: 1 2