Малая крутизна

Cтраница 1

Малая крутизна линейных отрезков, которую можно получить в схемах, использующих диодные элементы с сопротивлением нагрузки, ограничивает применение этих схем теми случаями, когда заданная функциональная зависимость не имеет крутых участков или точек перегиба. [1]

Малая крутизна линейных отрезков, которую можно получить в схемах, использующих диодные элементы с резистором в цепи нагрузки, ограничивает применение этих схем теми случаями, когда заданная функциональная зависимость не имеет крутых участков или точек перегиба. Некоторое увеличение крутизны можно получить за счет увеличения коэффициентов передачи усилителя при суммировании отдельных отрезков, однако это приводит к увеличению погрешности дрейфа выходного напряжения усилителя. [2]

Малая крутизна фазовой характеристики элемента обратной связи генератора обусловливает низкую Стабильность частоты. [4]

Ввиду относительно малой крутизны ПТ часто предпочитают использовать построенный на ПТ истоковый повторитель ( являющийся аналогом эмиттерного повторителя) в качестве входного буферного каскада для усилителя на обычных биполярных транзисторах, вместо того, чтобы пытаться прямо изготовить усилитель на ПТ с общим истоком. При этом сохраняются высокое входное сопротивление и нулевой постоянный входной ток ПТ, а большая крутизна биполярного транзистора позволяет получить большой коэффициент усиления в одном каскаде. [5]

При малой крутизне входных сигналов и разбросе порогов срабатывания различных элементов теоретически возможно появление всплесков даже в схемах, изображенных на рис. 10.2, а, что показано на диаграммах ( рис. 10.2, б), однако вследствие маловероят-ности таких ситуаций в дальнейшем они во внимание не принимаются. [6]

Недостатки - малая крутизна характеристики и сильная связь между входной и выходной цепями, обусловленная проходной емкостью около 10 пф. [7]

Вероятно, эта малая крутизна связана с нарастающей ионной ассоциацией, сопровождающейся десольватацией. [8]

Статическая модуляционная характеристика t / a f ( clO отдаваемая мощность Р, мощность рассеяния на аноде Ра, постоянная составляющая анодного тока iag, ток экранирующей сетки ic2o, сеточный ток. сю и анодный к. п. д. т а при модуляции возбуждением сетки. Измеренные значения [ Л. 8 ] ответствуют 21 - 17.| Модуляция смещением сетки. сеточный блокировочный конденсатор. S-лампа передатчика. М - модуляционная лампа.| Модуляция смещением сетки с дополнительным постоянным током. [9]

Модуляционная характеристика вследствие малой крутизны пентодиой характеристики в нижней части яе более линейна, чем при модуляции возбуждением сетки. Кроме того, при этом методе требуется ( большая мощность модулирующей частоты, чем при модуляции возбуждением сетки; нелинейная зависимость тока экранирующей сетки от коэффициента модуляции приводят к искажениям в обоих случаях. [10]

Пентояный резистивный усилитель. [11]

Эти пентоды имеют обычно малую крутизну S, не превышающую 2 5 ма / в. Чаще используются пентоды с короткой характеристикой, так как входные сигналы могут достигать нескольких вольт. [12]

Эта характеристика соответствует малой крутизне, но большому напряжению запирания. [13]

Междуэлектродные емкости лампы. [14]

Удлиненная анодно-сеточная характеристика имеет малую крутизну и пологую длинную нижнюю часть при большом отрицательном сеточном напряжении. Пентоды с удлиненной характеристикой используются, как известно, в схемах автоматической регулировки усиления радиоприемных устройств. [15]

Страницы: 1 2 3 4