Сегнетоэлектрический домен

Cтраница 1

Сегнетоэлектрический домен ( домен) - область в сегнето - или антисегнетоэлектрике, имеющая пространственно однородное упорядочение дипольных моментов элементарных кристаллических ячеек. [1]

Движение сегнетоэлектрических доменов представляет собой особый тип твердофазного превращения, ранее рассматривавшийся как полиморфный и в некоторой степени аналогичный исчезновению электрических двойников. При температуре Кюри сегнетоэлектрические свойства исчезают и наблюдается истинное полиморфное превращение. [2]

В кристаллах KSN сегнетоэлектрические домены ориентированы вдоль тетрагональной оси с. Если электриче ское поле приложить вдоль оси с неполярного образца, то домены, антипараллельные направлению поля, изменят свое направление поляризации, так что все домены окажутся направленными параллельно приложенному полю. Изменение направления приложенного поля, а следовательно, и поляризации на противоположное не должно изменять диэлектрические свойства кристалла. Однако эксперименты показали, что диэлектрические свойства не соответствуют исходным, если кристалл деполяризовался в уменьшающемся переменном поле, тогда как при термической деполяризации ( при охлаждении от температуры выше точки Кюри) его свойства полностью восстанавливаются. Кроме того, было обнаружено, что приложение переменного поля к полидоменному кристаллу оказывает тот же самый эффект, что и постоянное поле. [3]

При высоких температурах для поляризации сегнетоэлектрических доменов требуются более слабые приложенные поля, что можно часто наблюдать при изучении кристаллов в скрещенных поляроидах. [4]

Петля гистерезиса сегнетоэлектрика. [5]

Существование гистерезиса в сегне-тоэлектриках связано с наличием сегнетоэлектрических доменов - объемных областей, в каждой из которых дипольные моменты ориентированы одинаково, но в соседних доменах векторы Р направлены различно. Такие домены были обнаружены экспериментально в титанате бария. [6]

Наиболее часто употребляемый до недавних пор способ обнаружения сегнетоэлектрических доменов состоит в травлении образцов в смеси фтористоводородной ( HF) и азотной ( HNOs) кислот и последующем наблюдении доменной структуры в поляризационном микроскопе. Помимо экспериментальных трудностей, связанных с чрезвычайной агрессивностью такой смеси, этот способ приводит к частичному разрушению поверхностного слоя материала. [7]

Спектры лазерной генерации акустических волн на ПДС в ниоба-те лития. 1 - поверхностная акустическая волна. 2 - поперечная компонента приповерхностной акустической волны. 3 - вторая гармоника ПАВ. [8]

Был предложен альтернативный механизм, заключающийся в фотогенерации большого количества электронов, экранирующих поля поляризации внутри сегнетоэлектрических доменов. Возникающие при этом скачки электрических полей вследствие обратных знаков пьезоэлектрических коэффициентов в соседних доменах создают переменные деформации на границе доменов. После окончания воздействия лазерного импульса происходит релаксация индуцированного поля. При определенном соотношении между скважностью импульсов и временем релаксации к моменту подачи следующего импульса могут восстанавливаться значения полей поляризации внутри доменов. [9]

При заданной амплитуде переменного напряжения деполяризация объема образца наступает при достижении лишь некоторой пороговой частоты, которая характеризует уровень энергии, необходимой для компенсации теплоотвода и начала процесса деполяризации отдельных сегнетоэлектрических доменов. [10]

Среди первых вариантов электрически управляемых ПВМС, предназначенных для формирования двухмерных массивов информации ( страниц) с целью их последующей записи в оптические запоминающие устройства, рассматривались ПВМС на основе монокристаллических сегиетоэлектриков, в которых при температуре ниже точки Кюри осуществляется переориентация электрическим полем векторов поляризации сегнетоэлектрических доменов из одного устойчивого состояния в другое. [11]

Причиной образования доменов являются обменные силы возникающие в результате обобществления электронов, принадлежащих соседним атомам. Поэтому стенки между сегнетоэлектрическими доменами тонкие, порядка нескольких междуатомных расстояний, в отличие от стенок ферромагнитных доменов, которые могут доходить до сотен междуатомных расстояний из-за наличия в ферромагнетиках дальнодействующих сил ди-поль-дипольного взаимодействия. [12]

Были обнаружены различные типы сегнетоэлектрических доменов, исследована тонкая структура доменных границ, установлены ориентации векторов спонтанной поляризации. [13]

Как было установлено ранее [78, 235], именно при таких условиях возникает максимальная концентрация фотовозбужденных электронов. В средней части пластины предварительно путем приложения периодически градиентного электрического поля была сформирована система из 50 сегнетоэлектрических доменов с шириной каждого порядка 50 мкм. [14]

Какой класс диэлектриков мы называем сег-нетоэ Л бктрикам И. Как спонтанная поляризация сег-нетоэлектриков зависит от температуры. Что понимают под термином сегнетоэлектрический домен. [15]

Страницы: 1 2