Атрощенко

Cтраница 1

Атрощенко, И. И. Гельперин, А. П. Засорин, В. И. Конвисар, А. Я. Крайняя, Л. Г. Лейбуш, А. Р. Ястребенецкий, Методы расчетов по технологии связанного азота, Изд. Использованы и другие литературные материалы ( см. Литературу на стр. [1]

Атрощенко и А. П. Засорина установлено, что направление движения аммиачно-воздушной смеси в контактном аппарате сверху вниз наиболее эффективно а внутренняя изоляция нижней части аппарата позволяет использовать большее количество тепла реакции и возвратить его в виде пара в котле-утилизаторе. [2]

Атрощенко, И. И. Гельперип, А. П. Засорин, В. И. Конвисар, А. Я. Крайняя, Л. Г. Лейбуш, А. Р. Ястребенецкий, Методы расчетов по технологии связанного азота, Изд. Использованы и другие литературные материалы ( см. Литературу на стр. [3]

Исследованиями Атрощенко с сотрудниками [346] установлена оптимальная линейная скорость окисления аммиака, равная 4 - 6 м / сек. Показательно также, что процесс можно интенсифицировать путем повышения концентрации аммиака на входе в реактор, поскольку при этом, если сохраняется необходимое ( равное примерно двум) соотношение концентраций кислорода и аммиака, выход NO не уменьшается, а концентрация ее растет. [4]

Как показали Атрощенко, Гавря и Щедринская [97], окисление метана под повышенным давлением позволяет стабилизировать промежуточные кислородсодержащие продукты. Кроме того, давление способствует подавлению вторичных реакций. Очевидно, одной из причин повышения выхода СН20 при окислении метана под давлением является снижение температуры процесса. [5]

Ададуров и Атрощенко: Журн. [6]

Ададуров и Атрощенко: Укр. [7]

Ададуров и Атрощенко: Журн. [8]

Физические свойства Ga2Te3 при 290 К. [9]

Данные табл. 9 показывают, что свойства однофазных образцов Ga2Te3 с избытком галлия сильно отличаются от свойств материала, близкого по составу стехиометриче-скому. Атрощенко и др. [106] также наблюдали высокие значения удельного электросопротивления, порядка ( 2 5) - iWoM - cM у твердых растворов с концентрацией 59 85 - н - - - 60 ат. [10]

Приведенные значения EgG & % Te3, полученные в разных работах, имеют большой разброс от 1 08 до 1 55 эв. Атрощенко и др. [106] считают, что наиболее близкой к собственной характеристике величиной Eg нужно считать 1 36 эв, полученную исследованием оптических свойств монокристаллических образцов Ga2Te3 стехиомет-рического состава. [11]

Физические свойства GaaTes при 290 К. [12]

Данные табл. 9 показывают, что свойства однофазных образцов Ga2Te3 с избытком галлия сильно отличаются от свойств материала, близкого по составу стехиометриче-скому. Атрощенко и др. [106] также наблюдали высокие значения удельного электросопротивления, порядка ( 2 5) - M у твердых растворов с концентрацией 59 85 - f - ат. [13]

Приведенные значения gGa2Te3, полученные в разных работах, имеют большой разброс от 1 08 до 1 55 эв. Атрощенко и др. [106] считают, что наиболее близкой к собственной характеристике величиной Eg нужно считать 1 36 эе, полученную исследованием оптических свойств монокристаллических образцов Ga2Tes стехиомет-рического состава. [14]

Страницы: 1