Жидкий ксенон

Cтраница 1

Схема экспериментальной установки. J - криостат, 2 - фотокамера, 3 - фотодиод, 4 - люминесцентный экран, 5 - электронная пушка, 6 - жидкий ксенон, 7 - зеркала, S - вакуумный спектральный прибор. [1]

Жидкий ксенон при одинаковой степени чистоты обладает меньшим коэффициентом поглощения, чем твердый ксенон. Кроме того, в нем не наблюдается посторонних полос люминесценции в связи с дефектами структуры. На рис. 1.54 показана схема эксперимента. [2]

Фазовая диаграмма ксенона представлена на рис. 9.6. Исследованная область параметров I простирается от состояний пониженной плотности II, где термодинамические и электрофизические свойства вещества описываются плазменными моделями, и непосредственно примыкает к полученной динамическим сжатием жидкого ксенона области плотностей III, описываемых зонной теорией твердых тел. [3]

Структурная формула молекулы родамина 6 Ж. [4]

Когда возбужденный электрон релаксирует, молекула разрушается. Лазерное действие эксимерных систем впервые было обнаружено в жидком ксеноне, который накачивался электронным пучком. Впоследствии были созданы эксимерные лазеры на газообразных молекулах Хе2, Кт2, Аг2, а также на соединениях инертных газов с галогенами, таких, как XeBr, XeF, XeCl, KrF, ArF, KrCl. Атомы возбуждаются электронными пучками высокой энергии или с помощью быстрых разрядов. Эксимерные лазеры могут испускать свет в ультрафиолетовой и вакуумно-ультрафиолетовой областях спектра. [5]

В результате экспериментов были получены данные по электропроводности плазмы ксенона [39] в сильно закритических условиях, р - 1 - 4 г-см-3 ( PC - 1 1 г-см-3), при высоких давлениях и температурах: р - ( 2 - 11) ГПа, Т - ( 1 - 2) 104 К, где реализуется широкий спектр сильных межчастичных взаимодействий с участием нейтральных и заряженных частиц. Исследованная область параметров I на рис. 3.6 простирается от состояний пониженной плотности II, где термодинамические и электрофизические свойства вещества описываются плазменными моделями, и непосредственно примыкает к полученной динамическим сжатием жидкого ксенона области III твердотельных плотностей, описываемых зонной теорией твердых тел. [6]

При плавлении атомы инертных газов образуют жидкости с ближним порядком, соответствующим их гранецентрированным кубическим кристаллическим структурам. Таким образом, плавление, не изменяя существенным образом межатомного расстояния, приводит к понижению координационного числа 12 на 1 - 1 8 вследствие образования вакансий. Жидкий ксенон имеет еще более низкое координационное число, но максимумы на кривых распределения соответствуют гранецентрированной кубической структуре ксенона в твердом состоянии. При - 110 и 1 атм первый максимум соответствует межатомному расстоянию 4 43 А и 8 5 атомам, а при - 90 и 2 5 атм - 4 50 А и 8 3 атомам. При увеличении давления до 130 атм координационное число достигает девяти. В газообразном состоянии инертные газы молекул не образуют и существуют в виде моноатомных газов. Таким образом, плавление инертных газов не приводит к изменению их электронной структуры, вследствие чего строение жидкости сохраняет ближний порядок, соответствующий гранецентрированной кубической упаковке в кристаллическом состоянии. [7]

Значительное количество этих данных получено с помощью ударных волн, которые распространялись по исследуемому веществу, вызывая его необратимое сжатие, нагрев и ускорение. При этом исходные состояния вещества могут находиться либо в твердой, либо в газовой фазе. Регистрируя состояния одно - и двукратного сжатия, удается получить плазму сверхкритических параметров в широком интервале давлений ( р до 11 ГПа) и температур ( Т до 105 К) и проникнуть со стороны газовой фазы в область конденсированного состояния. Максимальная плотность ксеноновой плазмы в экспериментах [1] составляла 4 5 г-см-3, что превосходит в 1 5 раза плотность твердого ксенона, а также плотность твердого алюминия. Сжатие жидкого ксенона при помощи легкогазовых пушек при давлениях до 140 ГПа дает ценную информацию об электронном спектре сверхплотной плазмы диапазона давлений в 105 МПа. Адиабатическое сжатие насыщенных паров цезия ( кривая Si на рис. 3.1) дает возможность ( см. § 3.2) предотвратить чрезмерный разогрев плазмы и достичь области, где преобладающим является взаимодействие зарядов с нейтральными частицами. Сжатие металлов мощными ударными волнами [2-6], возникающими при детонация конденсированного ВВ, переводят металлы в состояние с давлением до 1000 ГПа и температурой в десятки тысяч градусов, когда металлы расплавлены и, по существу, реализуется неупорядоченная электрон-ионная плазма, в которой электронный компонент является вырожденным или частично вырожденным. [8]

В промышленности ксенон получают при разделении воздуха методом глубокого охлаждения. Вследствие очень низкого содержания ксенона, объем его производства невелик. Действительно, чтобы получить 1 м3 ксенона, необходимо переработать по меньшей мере 1Ы06 м3 воздуха. Обычно ксенон получают способом ректификации из криптоно-ксеноно-вой смеси ( см. разд. Установки для выделения ксенона всегда миниатюрны, поскольку при суточной работе аппарата производительностью 35000 м3 по кислороду, может быть получено ие более 3 5 м3 криптоно-ксеноновой смеси, из которой вырабатывается лишь 225 л газообразного или 40 л жидкого ксенона. [9]

Димеры и гексены образуются с выходами, сравнимыми с выходами в чистом гексане, что свидетельствует о полном переносе энергии или заряда от ксенона к гексану даже при концентрациях порядка 0 04 мольной доли гексана. В пределах ошибок опыта распределение изомеров димера, по-видимому, не зависит от концентрации гексана. Стоун [101] облучал различные парафины в жидком криптоне при - 190 и нашел для гексана G ( H2) 1 7 независимо от концентрации в диапазоне 3 - 10 электрон. В аналогичных экспериментах с ци-клогексеном он практически не обнаружил убыли образования цик-логексена по сравнению с чистым твердым состоянием, но димера, дициклогексила, образуется меньше. Результаты для циклогексана не обязательно противоречат данным Либби, не обнаружившего уменьшение димеров в жидком ксеноне, поскольку димеры в циклогексане образуются во вторичном процессе путем соединения радикала с радикалом при плавлении. [10]

Страницы: 1