Диэлектрическая абсорбция - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если у вас есть трудная задача, отдайте ее ленивому. Он найдет более легкий способ выполнить ее. Законы Мерфи (еще...)

Диэлектрическая абсорбция

Cтраница 1


1 Полная диаграмма токов в диэлектрике с потерями. [1]

Диэлектрическая абсорбция вызывает появление ос - - таточного заряда в конденсаторе, который был заряжен и затем замкнут даже накоротко, но в течение недостаточно большого времени; это явление может быть опасным для работающих с установками высокого напряжения.  [2]

В зарубежной литературе эту характеристику обычно называют диэлектрической абсорбцией и выражают в процентах от зарядного напряжения, подводимого к конденсатору до замыкания его накоротко.  [3]

4 Зависимость tg б полистирольных конденсаторов от частоты.| Зависимость tg б конденсаторов с неполярными диэлектриками от температуры. [4]

Конденсаторы из неполярных пленок обладают весьма малым коэффициентом диэлектрической абсорбции. Эти данные соответствуют непропитанным конденсаторам; пропитка может заметно повышать значения коэффициента абсорбции.  [5]

На примере экспериментальных данных диэлектрической релаксации ДЦФ в матрице ПП разработаны метод и программа для ЭВМ разделения кривых диэлектрической абсорбции б ф ( Т) на высокотемпературные области, образуемые за счет дипольной поляризации сольватосвчзянного Ш1 и низкотемпературные области, образуемые за счет дипольной поляризации агрегатов молекул ДЦФ в матрице ПП, т.е. к свободному ПЛ. Свободный ПЛ образуется при концентрациях ДЦФ в матриц ПП 16 1 % вес.  [6]

Неполярные пленки наиболее широко используют в конденсаторах, они обеспечивают высокие значения постоянной времени и удельных характеристик наряду с низким коэффициентом диэлектрической абсорбции. Неполярные пленки имеют высокую электрическую прочность при пониженном по сравнению с бумагой количестве слабых мест.  [7]

Помимо моментов, относящихся к технике измерения, рассмотренных в ответе на задачу 2 - 2, на измеряемое сопротивление изоляции оказывает влияние существование явления диэлектрической абсорбции. А именно, при точном измерении сопротивления изоляции необходимо измерять ток утечки после полного затухания тока абсорбции. Однако в серьезных случаях ток абсорбции может протекать в течение нескольких часов и даже нескольких дней. Если исходить с позиции испытания материалов, то для измерения сопротивления изоляции иметь слишком длительный интервал времени довольно неудобно. Стандарт предусматривает продолжительность подачи электрического напряжения и проведение сравнения сопротивления изоляции при 1 и 3 мин выдержки.  [8]

Даже в том случае, когда появляющиеся внутри диэлектрика объемные и поверхностные заряды относительно малы, они оказывают существенное влияние на процесс электризации диэлектрика, обусловливая возникновение явления остаточного заряда и явления диэлектрической абсорбции.  [9]

10 Зависимость tg S от температуры для композиций на основе полувзаимопроникающей сетки полутолуилендиизоцианата и полипропиленсульфида ( 1 кГц, содержащих 83 % ( /, 77 % ( 2, 50 % ( 3, 35 % ( 4 и 0 % ( 5 полипропилен-сульфида. [10]

ПТДИ следует приписать влиянию отступлении реальной структуры ПТДИ от идеальной триизоциану-ратной сетки. Диэлектрическая абсорбция образцов ПТДИ отличается от поведения ТФИ тем, что в температурной зависимости tgfi наблюдаются три более или менее выраженные, области майсиму-ма: вблизи 40, 90 - 120 и 160 - 170 С. Изучив структурные модели возможных дефектов триизоциануратной сетки ПТДИ и проанализировав влияние термообработки образцов, можно расшифровать происхождение каждого из пиков диэлектрической абсорбции и установить наиболее типичные нарушения сетчатой структуры ПТДИ. В их числе оказались образовавшиеся под влиянием влаги мочевинные группы, димеры толуилендиизоцианата и остаток непрореагировавших изоцианатных групп. В ПТДИ, прогретом до 160 С, димеры и свободные группы NC O в соответствии с диэлектрическими данными отсутствуют, образец практически не-полярен. Таким образом были получены сведения о совершенстве сетки одного из компонентов композиции.  [11]

ПТДИ следует приписать влиянию отступлении реальной структуры ПТДИ от идеальной триизоциану-ратной сетки. Диэлектрическая абсорбция образцов ПТДИ отличается от поведения ТФИ тем, что в температурной зависимости tgfi наблюдаются три более или менее выраженные, области майсиму-ма: вблизи 40, 90 - 120 и 160 - 170 С. Изучив структурные модели возможных дефектов триизоциануратной сетки ПТДИ и проанализировав влияние термообработки образцов, можно расшифровать происхождение каждого из пиков диэлектрической абсорбции и установить наиболее типичные нарушения сетчатой структуры ПТДИ. В их числе оказались образовавшиеся под влиянием влаги мочевинные группы, димеры толуилендиизоцианата и остаток непрореагировавших изоцианатных групп. В ПТДИ, прогретом до 160 С, димеры и свободные группы NC O в соответствии с диэлектрическими данными отсутствуют, образец практически не-полярен. Таким образом были получены сведения о совершенстве сетки одного из компонентов композиции.  [12]

В 20-разрядном АЦП фирмы National Semiconductor ( США) [108] применен метод однотактного интегрирования-линейно нарастающее образцовое напряжение сравнивается с измеряемым. В АЦПДИ результат преобразования определяется отношением времени разряда от образцового напряжения к времени заряда от измеряемого напряжения. Для АЦПДИ влияние нестабильности емкости конденсатора исключается, но на линейность характеристики преобразования может оказать влияние диэлектрическая абсорбция интегрирующего конденсатора.  [13]



Страницы:      1