Линия - дублет
Cтраница 1
Линии дублета VQ VP VA, расщепленные на величину 2vA, расположены слишком близко, чтобы их можно было наблюдать в оптическом спектре. [1]
Поскольку линии дублета обусловлены рассеянием на адиабатических флуктуациях давления, то их интенсивность дается вторым членом в ( 120 3), обязанным как раз этим флуктуациям. [2]
Поскольку линии дублета обусловлены рассеянием на адиабатических флуктуациях давления, то их интенсивность дается вторым членом в (120.3), обязанным как раз этим флуктуациям. [3]
Две линии внутреннего, запрещенного дублета не могут пересечься или совпасть, если знаки всех констант СТВ - Ахх, Ауу, Агг - одинаковы. [4]
 |
Изменение вида рентгенограммы при снижении симметрии. [5] |
Расстояние между линиями дублета зависит от отношения с / а. На этом и основан метод определения содержания углерода в мартенсите. [6]
Оказалось, что присутствие CdCl2 снижает асимметрию линий дублета. Это обстоятельство объясняется тем, что при введении в AgCl ионов Cd2 в решетке образуется большое количество катионных вакансий, которые и понижают число неассоциированных ионов железа. [7]
 |
Асимметрия линий квадрупольного дублета ( эффект Гольданского - Каря-гина в мессбауэровском спектре железосодержащего силикатного стекла. [8] |
Относительные вероятности переходов и угловые зависимости интенсивностей линий дублета для случая / 3 / 2 и / V2 даны ниже. [9]
Линия квартета, расположенная при самой низкой частоте, совпадает с линией дублета ( / - 12 гц), обусловленного взаимодействием ак спального 4р - протона с его аксиальным бес-соседом. [10]
С указанной точки зрения становится понятной и закономерной разница в интенсивности двух линий ложного дублета на рефлексо-грамме. Одна из этих линий возникает при отражении рентгеновских лучей от внешней ( по отношению к направлению пучка) стороны кристалла. Поэтому она практически не ослабляется вследствие поглощения в кристалле и образует на фотопластинке более интенсивный компонент дублета. Другая возникает благодаря отражению лучей на противоположной стороне кристаллического блока и неизбежно ослабляется на пути к фотопластинке после прохождения всей или большей части кристалла. Эта линия воспринимается на рефлексограмме в качестве менее интенсивного компонента дублета. Если отражающие блоки относительно невелики, а интенсивность отраженной ими радиации мала, можно наблюдать и полное исчезновение на рентгенограмме линий, возникающих при отражении рентгеновских лучей от тех областей изогнутого кристалла, которые прилегают к его внешней стороне. [11]
При наличии в радикальной паре ядер с отличным от нуля спином каждая из линий дублета в спектре расщепляется на соответствующее число компонент СТС. [12]
Когда почернение изучаемой линии D лежит в промежутке между почернениями DI и D2 линий вспомогательного дублета, ее относительную интенсивность можно определить с точностью порядка 10 % путем-линейной интерполяции между крайними для рассматриваемого интервала значениями почернения. [13]
 |
Кривые зависимости полуширины и индекса асимметрии линий от интенсивности линий. [14] |
При изучении дублетов КасЬ2 удобно иногда выбрать в качестве параметра, характеризующего степень почернения линий дублета и меры переэкспонирования линии Каг но сравнению с Ка2, отношение высот линий Ка2 и Ка1; измеренных на микрофотограмме. [15]
Страницы: 1 2 3 4