Cтраница 3
Там же нанесены линии насыщения СаО и равной активности FeO. Причина раеедаяваяяя, да-вадямвму, та же, что к в системе FeO - CaFs, а именно, большое различие в полярности [39] компонентов. Ионный потенциал РО - близок к таковому для F -, вследствие чего сильно взаимодействующие ионы Fe2 и О2 образуют свои микрогруппировки, оттесняя слабее связанные ионы Са2 и РО - в другие области. Иначе говоря, расслаивание является результатом микронеоднородности шлака. [31]
![]() |
Определение критической плотности относительным методом.| Определение критической плотности методом касательной. [32] |
Располагая данными а линии насыщения для газовой и жидкой фаз, можно легко восстановить данные по сжимаемости в неисследованной части кривой, примыкающей к критической точке. [33]
![]() |
Определение критической плотности относительным методом.| Определение критической плотности методом касательной. [34] |
Располагая данными а линии насыщения для газовой и жидкой фаз, можно легко восстановить данные по сжимаемости в неисследованной части кривой, примыкающей к критической точке. [35]
![]() |
Определение критической плотности относительным методом.| Определение критической плотности методом касательной. [36] |
Располагая данными на линии насыщения для газовой и жидкой фаз, можно легко восстановить даяные по сжимаемости в неисследованной части кривой, примыкающей к критической точке. [37]
Этим способом строятся линии двойного насыщения и других пар солей, в результате чего получается расчетная диаграмма растворимости четверной водной взаимной системы. [38]
Заряд Z вблизи линии насыщения щелочных металлов близок к единице. [39]
![]() |
Диаграмма давление - температура для воды.| Диаграмма давление - температура для смеси этана с деканом. [40] |
Кривая 6 - линия насыщения чистого декана, а точка 5 - его критическая точка. Верхняя огибающая кривая 3 соединяет линию псевдокритических давлений для системы этан - декан при различных содержаниях этих компонентов. [41]
В верхней части линия насыщения паровых растворов сульфата натрия, как и у других систем, стремится к соответствующей линии насыщения водных растворов Na2S04 и в критической точке сливается с последней. [42]
Из-за значительной кривизны линии насыщения это упрощение не может быть применено, поэтому пользование средним логарифмическим не допускается. Кроме того, для средней движущей силы Д ср даже ошибочно пользоваться уравнением ( 5 - 75), коль скоро коэффициент а сильно изменяется. [43]
Линия АВ является линией насыщения для чистого компонента X, а линия DE - то же для чистого компонента У. [44]
Для определения плотности на линии насыщения и критической плотности может быть применен метод [1], при котором используется свободно качающаяся на приз-менной опоре трубка. [45]