Cтраница 1
Линии поглощения, обусловленные низко расположенными уровнями ( EQ 5 eV), могут иметь форму, сильно отличающуюся от формы линий поглощения для свободных ядер. [1]
Линии поглощения в спектре новой звезды при увеличении ее блеска оказываются смещенными относительно нормального положения - длина волны у них меньше. Причина сдвига линий становится очевидной, если учесть что в это время происходит расширение внешних слоев звезды, причем мы можем видеть движение только той части поверхности, которая обращена к нам. В спектре излучения, идущего от движущегося в нашу сторону источника, линии и должны быть, согласно принципу Доплера, смещены в сторону коротких волн. Применение формулы ( 5) показывает, что скорость движения поверхности новой звезды - порядка 1000 км / сек, что в общем согласуется со скоростью расширения туманности, наблюдаемой впоследствии около этой звезды. [2]
Линии поглощения соответствуют световым лучам, поглощенным газами и парами веществ в хромосфере ( газовой оболочке Солнца) и в атмосфере Земли. По ним установлено, что в хромосфере имеются водород, кальций, натрий, железо и другие вещества, встречающиеся на Земле. [3]
![]() |
Электронный переход в магнитном поле Н. [4] |
Линия поглощения в спектре ЭПР связана с переходом между этими двумя подуровнями. [5]
Линии поглощения образуют серию, сходящуюся к пределу при п со, за к-рым и начинается непрерывная область, имеющая вид арктап-генсоиды. Ширина нерпой наиболее четкой и яркой линии на середине ординаты максимума позволяет непосредственно определить ширину внутреннего уровня, к-ран, напр. [6]
![]() |
Схема наблюдения спектра поглощения. [7] |
Линии поглощения используются и для метрологических целей. Следует упомянуть о многочисленных исследованиях спектров поглощения космических объектов - атмосферы звезд и Солнца, межзвездной среды и земной атмосферы. [8]
Линии поглощения в спектре СЦО соответсвуют частотам 9 9 - 1012, 2 0 - 1 ( Р, 2 9 - 1013 и 7 - 10 Гц. Можно ли по этим данным сделать вывод о том, что это соединение бесцветно или окрашено. [9]
Линии поглощения, наблюдаемые при электронном парамагнитном резонансе, обычно шире линий ядерного магнитного резонанса, так как парамагнитные свойства веществ определяются электронами, расположенными ближе к периферии атомов и вследствие этого больше подверженными влиянию внутрикри-сталлических магнитных полей. [10]
Линия поглощения может быть записана либо при усилении на постоянном токе ( без модуляции), как это показано в гл. [11]
Линии поглощения обладают рядом Преимуществ перед эмиссионными линиями, в частности при использовании резонансных линий поглощения отсутствует электромагнитное поле. [12]
Линия поглощения обнаруживается как провал кривой пропускания при сканировании в области длины волны Я-106 мк. Кривая, проведенная пунктиром над провалом ( фиг. При таком расчете автоматически компенсируются потери на отражение, рассеяние и др., которые могут сказываться на результатах абсолютных измерений. Для достижения высокой точности при данном методе необходима надежная выверка нуля прибора. [13]
Линии поглощения, обусловленные низко расположенными уровнями ( Е0 5 eV), могут иметь форму, сильно отличающуюся от формы линий поглощения для свободных ядер. [14]
Линии поглощения слабы из-за того, что дипольные электрические переходы между мультиплетными уровнями запрещены правилом Лапорта. [15]