Cтраница 1
Линии скольжения суть круги г const и прямые ф const, линии напряжений суть логарифмические спирали. [1]
Линии скольжения пересекали зерна от одной границы до другой и распределялись в них равномерно. Разрешение реплик составляло 2нм и, следовательно скольжение менее, чем 7 дислокаций не могло быть обнаружено. [2]
Линии скольжения, видимые в отдельных зернах, представляют не одну плоскость скольжения, а результат скольжения множества параллельных плоскостей. Однако процесс скольжения нельзя представлять как одновременное перемещение всех атомов, находящихся в плоскости скольжения, так как для такого перемещения напряжения должны быть в сотни раз больше фактических. [3]
Линии скольжения строят на основании следующих соображений. [4]
![]() |
Схема изменения сопротивления сдвигу в зависимости от плотности дислокаций. [5] |
Линии скольжения играют ту же роль, что и границы зерен в отношении скапливания вакансий и образования трещин. [6]
Линия скольжения ( ось 2j) может быть только перпендикулярна к простой трансляции, создающей исходную плотную цепь. В противном случае фигуры в слое будут перекрываться. [7]
![]() |
Плоский слой. [8] |
Линия скольжения ( ось 2Х) не может быть расположена произвольно: она проходит посредине между двумя соседними центрами инверсии. [9]
![]() |
Возникновение линий скольжения ( схема. [10] |
Линии скольжения ни в коем случае не следует смешивать с образующимися при слишком сильной деформации трещинами. [11]
Линии скольжения выходят на свободную или контактную поверхность. [12]
Линии скольжения образуют два семейства. [13]
Линия скольжения р8, представляя собой жестко-пластическую границу, тем самым является линией разрыва. Так как все точки жесткой зоны движутся с одинаковой скоростью и0, то точка А является отображением всех точек этой зоны. [14]
![]() |
Типичные микроструктуры наноструктурной Си после деформации сжатием на 29 % ( а, 53 % ( б и 83 % ( в. [15] |