Cтраница 1
Линии солидуса и ликвидуса по данным этого анализа воспроизводятся с точностью 2К, хотя абсолютная точность - каждого измерения составляет 5 К. [1]
Линия солидуса постепенно поднимается вверх от границы твердого раствора при 51 до 63 мол. Однако вследствие относительно высокой ошибки определения температуры ( 2 К) наличие когерентности в этом сечении точно не установлено. Кристаллы твердого раствора, выращенные из расплава, содержащего 30 мол. [2]
![]() |
Установка для фильтрования при высоких температурах. [3] |
Линия солидуса может быть также определена рентгено-структурным анализом, поскольку параметры решетки кристаллов зависят от состава твердого раствора. [4]
![]() |
Участок диаграммы состояния системы Si-С в области малых концентраций углерода, построенный по данным направленной кристаллизации.| Диаграмма состояния системы InP-GaP. [5] |
Линия солидуса построена по данным термического анализа, линия ликвидуса - по данным направленной кристаллизации. [6]
Линия солидуса - кривая, отвечающая предельно нагретым твердым растворам. [7]
![]() |
Структуры эвтектик при разном увеличении. [8] |
Линия солидуса в этой диаграмме имеет сложный контур и идет по точкам adceb. В области acd выделяются кристаллы а. [9]
Линия солидуса наиболее выпуклая по отношению к оси ординат при 45 % ( мол. [10]
Линии солидуса построены для всего интервала концентраций компонентов. [11]
![]() |
Диаграмма вертикального разреза IV. [12] |
Линия солидуса получается в виде одной непрерывной линии, так же как и линия растворимости. [13]
Линия солидуса - кривая, отвечающая предельно нагретым твердым растворам. [14]
Линия солидуса ТКВБ в системе относительно пологая, и состав кристалла значительно изменяется с температурой. Вследствие этого кристаллы, выращенные из одного и того же расплава, могут значительно отличаться по составу. Однако негомогенность кристаллов не оказывает заметного влияния на эффективность генерации второй гармоники излучения ИАГ: Nd-лазера, потому что полосы роста располагаются перпендикулярно оси с, а луч лазера диаметром 0 1 мм распространяется параллельно оси а кристалла. [15]