Линия - солидус - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Есть что вспомнить, да нечего детям рассказать... Законы Мерфи (еще...)

Линия - солидус

Cтраница 1


Линии солидуса и ликвидуса по данным этого анализа воспроизводятся с точностью 2К, хотя абсолютная точность - каждого измерения составляет 5 К.  [1]

Линия солидуса постепенно поднимается вверх от границы твердого раствора при 51 до 63 мол. Однако вследствие относительно высокой ошибки определения температуры ( 2 К) наличие когерентности в этом сечении точно не установлено. Кристаллы твердого раствора, выращенные из расплава, содержащего 30 мол.  [2]

3 Установка для фильтрования при высоких температурах. [3]

Линия солидуса может быть также определена рентгено-структурным анализом, поскольку параметры решетки кристаллов зависят от состава твердого раствора.  [4]

5 Участок диаграммы состояния системы Si-С в области малых концентраций углерода, построенный по данным направленной кристаллизации.| Диаграмма состояния системы InP-GaP. [5]

Линия солидуса построена по данным термического анализа, линия ликвидуса - по данным направленной кристаллизации.  [6]

Линия солидуса - кривая, отвечающая предельно нагретым твердым растворам.  [7]

8 Структуры эвтектик при разном увеличении. [8]

Линия солидуса в этой диаграмме имеет сложный контур и идет по точкам adceb. В области acd выделяются кристаллы а.  [9]

Линия солидуса наиболее выпуклая по отношению к оси ординат при 45 % ( мол.  [10]

Линии солидуса построены для всего интервала концентраций компонентов.  [11]

12 Диаграмма вертикального разреза IV. [12]

Линия солидуса получается в виде одной непрерывной линии, так же как и линия растворимости.  [13]

Линия солидуса - кривая, отвечающая предельно нагретым твердым растворам.  [14]

Линия солидуса ТКВБ в системе относительно пологая, и состав кристалла значительно изменяется с температурой. Вследствие этого кристаллы, выращенные из одного и того же расплава, могут значительно отличаться по составу. Однако негомогенность кристаллов не оказывает заметного влияния на эффективность генерации второй гармоники излучения ИАГ: Nd-лазера, потому что полосы роста располагаются перпендикулярно оси с, а луч лазера диаметром 0 1 мм распространяется параллельно оси а кристалла.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5