Cтраница 2
Таков, следовательно, потенциал бесконечной прямой линии, по которой распределен заряд или масса с постоянной плотностью у. Это выражение пригодно для всех точек пространства. Здесь р есть расстояние точки наблюдения от заряженной линии. [16]
При низких темп - pax, когда рассеяние па тепловых колебаниях решетки мало, подвижность носителей заряда определяется рассеянием на ионизированных примесях, внедренных в кристаллич. Основные примеси - доноры и акцепторы - имеют малую энергию ионизации. Поэтому, начиная с 50 - 70 К, рассеяние происходит на ионизированных примесях и носит чисто кулопои-ский характер. При совсем низких темп-рах, когда примеси еще не ионизированы н тепловые колебания решетки мало сказываются, имеет место рассеяние на нейтральных примесях. Кроме того, влияние на подвижность оказывают структурные дефекты, в частности дислокации. Их вклад в рассеяние носителей заряда может быть заметен. Поскольку линейная дислокация п реальном ПП представляет собой экранированную заряженную линию, то рассеяние носит также кулоновский характер. [17]
При низких темп - pax, когда рассеяние на тепловых колебаниях решетки мало, подвижность носителей заряда определяется рассеянием на ионизированных примесях, внедренных в кристаллич. Основные примеси - доноры и акцепторы - имеют малую энергию ионизации. Поэтому, начиная с 50 - 70 К, рассеяние происходит на ионизированных примесях и носит чисто кулонов-ский характер. При совсем низких темп-рах, когда примеси еще не ионизированы и тепловые колебания решетки мало сказываются, имеет место рассеяние на нейтральных примесях. Кроме того, влияние на подвижность оказывают структурные дефекты, в частности дислокации. Их вклад в рассеяние носителей заряда может быть заметен. Поскольку линейная дислокация в реальном ПП представляет собой экранированную заряженную линию, то рассеяние носит также кулоновский характер. [18]