Добавочная линия
Cтраница 3
 |
Диаграммы изотермического распада переохлажденного аустенита в легированной стали ( схемы. [31] |
Оба превращения разделены областью относительной устойчивости аустенита. В случае доэвтектоидной или заэвтектоидной легированных сталей на диаграмме изотермического распада переохлажденного аустенита, так же как и углеродистой стали, появляется добавочная линия, соответствующая началу выделения избыточного легированного феррита или карбида. [32]
Такая секция образует одно ( последнее) звено распределенного усилителя. Это звено дает усиление по мощности в два раза, так как при сопротивлении на входе Zc сопротивление нагрузки в два раза меньше. На рис. 13.9 показана схема двух звеньев ( секций) распределенного усилителя с добавочной линией задержки. [33]
Освещая изучаемое вещество светом от источника, обладающего линейчатым спектром ( например, ртутной лампой), наблюдают спектр света, рассеиваемого веществом. Направление наблюдения перпендикулярно направлению освещающего пучка света. В спектре рассеянного света наблюдаются, кроме линий спектра, принадлежащего источнику света, еще добавочные линии - спутники, сопровождающие каждую из линий первичного света. Отсюда и название явления - комбинационное рассеяние света. [34]
 |
Изменение параметра осадка с увеличением толщины. [35] |
Предположим, что моноатомный слой осадка имеет нормальный параметр решетки. Тогда на дифракционной картине наряду с рефлексами от решетки подложки появятся рефлексы от кристаллического слоя осадка. Однако наряду с первичными диффузными линиями в результате вторичной дифракции электронных волн, отраженных от подложки, появятся добавочные линии. Точечные рефлексы, расположенные вдоль центральной линии, обусловливают вторичную дифракцию, рефлексы от которой совпадают с первичной картиной. Однако рефлексы, расположенные вдоль ряда А, действуя как источник, приведут к образованию добавочных линий, показанных на рис. 65 штрихами. Таким образом, первичные и вторичные дифракционные рефлексы могут перекрываться и образовывать широкие дифракционные полосы, которые формально соответствуют параметрам решетки подложки. Это обстоятельство представляет существенное затруднение при расшифровке электронограмм, если различие параметров подложки и осадка составляет несколько процентов. [36]
В настоящее время еще мало внимания уделяется влиянию загрязнений. В литературе этот вопрос только затрагивается ( например, образование слоя углерода от масла из форвакуумного насоса, линии которого используются как стандарт), но не обсуждается. По всей вероятности, постоянные загрязнения можно определить и учесть, но нетрудно себе представить, что присутствие неизвестых примесей приведет к возникновению добавочных линий в спектре, результаты качественного или количественного анализа при этом, естественно, будут искажены. [37]
 |
Изменение параметра осадка с увеличением толщины. [38] |
Предположим, что моноатомный слой осадка имеет нормальный параметр решетки. Тогда на дифракционной картине наряду с рефлексами от решетки подложки появятся рефлексы от кристаллического слоя осадка. Однако наряду с первичными диффузными линиями в результате вторичной дифракции электронных волн, отраженных от подложки, появятся добавочные линии. Точечные рефлексы, расположенные вдоль центральной линии, обусловливают вторичную дифракцию, рефлексы от которой совпадают с первичной картиной. Однако рефлексы, расположенные вдоль ряда А, действуя как источник, приведут к образованию добавочных линий, показанных на рис. 65 штрихами. Таким образом, первичные и вторичные дифракционные рефлексы могут перекрываться и образовывать широкие дифракционные полосы, которые формально соответствуют параметрам решетки подложки. Это обстоятельство представляет существенное затруднение при расшифровке электронограмм, если различие параметров подложки и осадка составляет несколько процентов. [39]
Страницы: 1 2 3