Эквипотенциальная линия - поле
Cтраница 2
Для создания такого поля на модулятор М подается небольшое отрицательное напряжение, на первый анод Аг - положительное напряжение порядка нескольких сотен вольт, а на второй анод А2 - напряжение порядка нескольких киловольт. В этом случае эквипотенциальные линии поля в околокатодной области имеют выпуклость в сторону катода, в левой части цилиндра AI - в сторону от катода, в правой части цилиндра А выпуклость эквипотенциальных линий направлена к катоду, а внутри цилиндра АЧ - к экрану. [16]
Метод зондирования электрического поля ванны состоит в измерении потенциала в некоторых выбранных точках поля электролизера. Результаты измерения потенциала используют для построения картины эквипотенциальных линий поля, которая позволяет судить о степени равномерности распределения потенциала и тока по поверхности деталей. [17]
Метод зондирования электрического поля ванны состоит в измерении потенциала в некоторых выбранных точках поля электролизера. Результаты измерения потенциала используют для построения картины эквипотенциальных линий поля, которая позго-ляет судить о степени равномерности распределения потенциала и тока по поверхности деталей. [19]
Метод зондирования электрического поля ванны состоит в измерении потенциала в некоторых выбранных точках поля электролизера. Результаты измерения потенциала используют для построения картины эквипотенциальных линий поля, которая позволяет судить о степени равномерности распределения потенциала и тока по поверхности деталей. [21]
Вы, видимо, предположили, что электростатическая линза в трубке создается только электрическим полем анодов. Но из рис. 1.30 видно, что вблизи модулятора эквипотенциальные линии поля сильно искривлены. Это значит, что модулятор также участвует в создании электронной линзы. [22]
Из рис. 1.30 а видно, что эквипотенциальные линии поля в области действия первой линзы направлены выпуклостью навстречу движению электронов. Очевидно, что эта сила будет увеличивать лишь нормальную к эквипотенциальным линиям поля, составляющую va скорости этого электрона, оставляя неизменной тангенциальную составляющую от. [23]
Фокусировку луча осуществляют с помощью электрического поля, создаваемого между управляющим электродом и первым анодом и между первым и вторым анодами. С этой целью потенциометром R2 изменяют напряжение на первом аноде, а следовательно, конфигурацию эквипотенциальных линий поля, действующего на электронный луч, как оптическая линза на световой пучок. [24]
С другой стороны, поскольку электрические силовые линии перпендикулярны линиям ц const и магнитным силовым линиям, то эти магнитные силовые линии совпадают с эквипотенциальными линиями. Таким образом, если распределение поля в точности определяется неоднородной поперечно-электромагнитной плоской волной, то без какого-либо нарушения распределения поля всегда можно поместить в нем идеальный проводник, поверхность которого должна быть всюду перпендикулярна электрическим силовым линиям, или, что то же, должна совпадать с эквипотенциальными линиями поля. Указанным свойством часто пользуются при построении методики расчета параметров цепей электропроводной связи. [25]
На рис. 7 - 6, а показан электронный прожектор, образованный тремя электродами ( триодный прожектор): модулятором, первым и вторым анодами. Эквипотенциальные линии поля двух линз системы показаны на рис. 7 - 6, б, а их оптический эквивалент - на рис. 7 - 6, в. Первая линза образована неоднородным полем между модулятором и первым анодом, а вторая - между первым и вторым: анодами. [26]
Изменение потенциала управляющей сетки почти не влияет на электрическое поле в пространстве сетка-анод лампы и очень сильно изменяет электрическое поле в пространстве катод-сетка. Распределение эквипотенциальных линий поля между витками сетки определяется потенциалами сетки и анода, а также конструкцией сетки и шагом ее навивки. В лампе с редкой сеткой эквипотенциальные линии поля анода провисают сквозь отрицательно заряженную сетку, создавая в пространстве катод - сетка ускоряющее поле. В лампе с густой сеткой проникновение анодного поля сквозь сетку значительно слабее. [27]
 |
Схема измерений электрических полей методом электролитической ваяны. А, В - модгли электродов, / - зонд, 2-индикатор нуля /., и А. 2 - сопротивления, С и С3 - емкости. [28] |
Линии тока не могут оканчиваться на изолирующей стенке ванны и идут вдоль нее. Перпендикулярные к линиям тока эквипотенциальные поверхности пересекают стенку ванны под прямым углом. На рис. 83 в качестве примера сплошными линиями показаны эквипотенциальные линии поля цилиндрического проводника и заземленной плоскости, искаженные влиянием изолирующих стенок. В стенке, как в зеркале, отражается потенциал точек электролита. Теоретически рассчитанные эквипотенциальные линии показаны пунктиром. Искажающее влияние стенок может быть значительно уменьшено, если обложить их металлом и сообщить обкладке потенциал, который был бы в реальном поле на бесконечности. [29]
Напротив, коэффициент М, называемый коэффициентом растяжения, меняется от точки к точке, поэтому изменяется и форма отрезков. Изменились соотношения длин сторон, однако углы при вершинах сохранились неизменными. В большинстве задач область исследуемого поля ограничена линиями потока и эквипотенциальными линиями поля. Во многих случаях границы рассматриваемой области представляют совокупность прямолинейных отрезков или могут быть ими аппроксимированы. При нахождении функции to / ( z) часто вводят промежуточные плоскости и переменные. При этом вещественная ось плоскости t связывается уравнением преобразования с границей многоугольника, ограничивающего рассматриваемую область поля в плоскости г. В результате преобразования верхняя полуплоскость плоскости t отображается во внутреннюю область многоугольника. Таким образом, устанавливается связь между координатами точки поля z и соответствующим ей комплексным потенциалом полосы юм. [30]
Страницы: 1 2 3