Cтраница 3
![]() |
Схема защиты импульсного модулятора с искусственной линией. [31] |
Если применяют коммутирующие приборы с двухсторонней проводимостью и устройства для предотвращения повышения напряжения на накопителях формирующей линии, то среднее значение тока, потребляемого от источника питания, при коротких замыканиях в нагрузке модулятора практически остается неизменным. Если нагрузка при замыкании накоротко сохраняет одностороннюю проводимость, то отношение импульсных значений тока в нагрузке при коротких замыканиях к току в нормальном режиме обычно не превышает двух. [32]
В [87] производится расчет температур перегрева корпуса конденсаторов напряжением до 2000 В, работающих в формирующих линиях при естественном охлаждении, с учетом охлаждающих действий шасси. [33]
Для снятия с Т этих обратных напряжений, а также в качестве вентилей в цепях заряда формирующих линий используются клип норные диоды. Отличие состоит в том, что электрод, выполняющий в Т ф-ции управления моментом зажигания разряда ( сетка), здесь имеет потенциал катода и играет роль анодного экрана. [35]
Можно значительно улучшить форму импульса на выходе импульсного трансформатора, если применить в импульсном модуляторе неоднородную формирующую линию. На рис. 4 - 65 дана осциллограмма того же импульса при использовании неоднородной линии. [36]
![]() |
График общего изменения напряжения на срезе импульса. [37] |
Приведенная кривая более или менее наглядно характеризует процессы на срезе импульса в модуляторе с накопителем в виде формирующей линии и повышающим импульсным трансформатором, нагруженным магнетроном. [38]
Соотношение ( 1 - 9) справедливо для импульсных передатчиков, в которых применяются модуляторы с искусственными формирующими линиями. [39]
В пятой главе излагаются формирующие устройства: амплитудные ограничители, дифференцирующие и интегрирующие цепи, генераторы ударного возбуждения, формирующие линии, фиксаторы уровня. [40]
![]() |
Фронт ударной волны в ферритовой линии с ППГ.| Границы формирования. [41] |
Правда, это увеличение быстро ограничивается пространственной дисперсией при увеличении сосредоточенной индуктивности, а также необходимостью согласования выходного сопротивления формирующей линии R с сопротивлением нагрузки. [42]
При генерации ИПЗЧ микросекундной длительности импульс напряжения на нагрузку снимается с первичного накопителя, а необходимость использования одинарной или двойной формирующей линии отпадает. [43]
![]() |
Генератор наносекундных импульсов на лампах со вторичной эмиссией. [44] |
Таким образом формируется короткий отрицательный перепад, который с динодной нагрузки / Js через разделительный конденсатор C поступает на вход формирующей линии. [45]