Штриховая линия

Cтраница 4

Штриховая линия представляет зависимость для решения в линейной постановке. [46]

Функции макроповреждеиности. [47]

Штриховые линии на рисунках соответствуют решению задачи о линейно упругом деформировании. [48]

Безразмерная поверхностная потенциальная энергия заряженной капли. [49]

Штриховая линия на рис. 3 показывает положение минимумов поверхностной энергии. [50]

Штриховые линии представляют комплексные участки ветвей. Отмеченные чертой участки на вещественной плоскости у соответствуют обратным волнам, подробно описанным выше. Как видно из рис. 53, это явление наблюдается в цилиндре чаще, чем в слое. [51]

Штриховая линия дает закон изменения trzz при полном закреплении крыла по всей хорде. Представление о погрешности решения можно получить, вычислив результирующий момент напряжений ozz в заделке; в полученном решении он составляет примерно 92 % от момента, создаваемого относительно оси х внешней нагрузкой. [52]

Зависимость lg Кр от 1 / Г для реакции. [53]

Штриховая линия соответствует значениям Кр, рассчитанным из термодинамических данных. [54]

Зависимость максимального количества тепла 7t. отводимого с единицы площади провода в жидкий гелий без смены режима кипения, от длительности теплового импульса, действующего на провод. [55]

Штриховая линия описывает зависимость (6.24) при Т) 900, а пунктирная линия зависимость (6.24) при V ] 450 ( разд. Сплошная линия соответствует случаю стационарной, теплоотдачи. [56]

Температурная зависимость поля Bpj, при котором происходит скачок потока в цилиндрическом образце. [57]

Штриховая линия изображает значения поля, при которых экранирующие токи достигают центра изученного в работе [2] ниобий-титанового образца диаметром 10 мм. [58]

Зависимость основных параметров БИС от степени интеграции. [59]

Штриховая линия на рис. 5: 2 проведена через точки минимума плотности мощности рассеяния. Таким образом, рис. 5.2 дает представление о скорости логики БИС, которая может быть реализована при достижении оптимального согласования между быстродействием вентильных схем и степенью интеграции микроэлементов на кристалле с учетом ограничений на максимальное быстродействие вентилей, тепловой режим и возможную степень интеграции микроэлементов БИС. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5 6