Cтраница 2
Схематическая диаграмма эвтектического превращения переохлажденного жидкого ( ж) эвтектического чугуна [7]: БДЛФ - начало кристаллизации графита ( ГУ, ОДЗ-начало кристаллизации аустенита ( А); НЛП - начало кристаллизации цементита ( Ц), РИФ К. [16]
Схематическое представле - вать чистой кристаллической. [17] |
Эта схематическая диаграмма указывает на существование определенного сходства между различными процессами и на важность рассмотрения полной области концентраций для всестороннего описания бинарных полимерных систем. [18]
Схема расположения областей кристаллизации синтетических цеолитов на треугольной диаграмме составов ( схема не учитывает содержания Н20 и относится к различным температурам. [19] |
Эта принципиальная схематическая диаграмма не относится к постоянной температуре. [20]
Строят схематические диаграммы остатков: по вертикальной оси выбирают масштаб, при котором можно будет нарисовать остатки для всех выборок, нулевой уровень соответствует медианам выборок, вниз от нуля откладывают отрицательные числа. Схематические диаграммы строят в виде прямоугольников аналогично вышеописанным ( высота прямоугольника равна расстоянию между сгибами, линии проводятся до примыкающих значений, крайние значения наносятся меньшими значками), отскакивающие значения отмечают более заметными значками. [21]
Получаемые схематические диаграммы остатков позволяют сравнивать сколь угодно сильно различающиеся выборки по их рассеянию, симметричности, наличию примыкающих и отскакивающих значений. [22]
Рисуем схематические диаграммы преобразованных остатков, как описано выше. [23]
Вид схематической диаграммы остатков логарифмов существенно отличается от вида для остатков исходных величин ( см. рис. 10), когда рассеяние чисел для образцов А, Б, В примерно одинаково, а для Г - наименьшее. Относительный разброс ( С-ширины) также получается сильно различающимся: для образца Б 21 / 52 0 4, а для образца В 14 / 267 0 05, что и отражено на диаграмме остатков логарифмов. [24]
Зависимость константы скорости твердофазной реакции от температуры при различной концентрации дефектов в решетке реагентов. [25] |
Рассмотрим схематическую диаграмму рис. 3.15, характеризующую зависимость константы скорости от температуры для одной и той же реакции при различных концентрациях несовершенств в решетке одного из реагентов. [26]
На схематической диаграмме ползучести ( рис. 38) участок кривой от точки О до точки Р соответствует первоначальной переориентации решетки под действием постоянного напряжения. Вследствие этого напряжения атомы и дислокации ориентируются по надлежащим кристаллографическим плоскостям, и изменения в образце ( удлинение или деформация или и то и другое) происходят сравнительно быстро, как уже указывалось выше. От точки Р до точки Q удлинение протекает квазиустойчиво - изменения сравнительно малы и решетка обладает наибольшим сопротивлением к переориентации механизмов, связанных с удлинением образца припоя. На участке от точки Q до точки R изменение происходит довольно быстро и в точке R наступает разрушение образца. [27]
С помощью схематических диаграмм удобно сравнивать характеристики различных выборок. Схематические диаграммы не служат для выполнения каких-либо точных отсчетов, они должны давать представление о наиболее существенных общих особенностях выборки. Недостатком схематических диаграмм является отсутствие информации о числах, расположенных в середине выборки. [28]
Для построения схематических диаграмм нужно составить соответствующие барьерно-буквенные представления выборок. В данном случае этого можно избежать, если обратить внимание на то, что С-ширина во всех случаях так велика ( по сравнению с размахом), что даже внутренние барьеры ( и тем более внешние) будут располагаться за пределами крайних чисел. Это означает, что внешних и отскакивающих чисел в выборках нет, а примыкающими являются крайние числа выборки. [29]
Полученная картина схематических диаграмм остатков логарифмов выборок является удовлетворительной, и дальнейшего преобразования этих остатков логарифмов не требуется. [30]