Дискретная линия
Cтраница 1
Дискретная линия обусловлена отличным от нуля математическим ожиданием случайного импульсного процесса. [1]
 |
Спектр экситонного приближении. Однако при поглощении кванта поглощения в прямозонном по - света образуется близко расположенная пара. [2] |
Дискретные линии экситонного спектра в реальных полупроводниках становятся с температурой тем шире, чем больше номер экси-тонной линии, вследствие чего происходит взаимное наложение линий при п 2 при не очень низких температурах. [3]
Дискретные линии экситонного спектра в реальных полупроводниках становятся с температурой тем шире, чем больше номер экситонной линии, вследствие чего происходит взаимное наложение линий при п 2 при не очень низких температурах. [4]
 |
Спектр экситонного приближении. Однако при поглощении кванта поглощения в прямозонном по - света образуется близко расположенная пара. [5] |
Дискретные линии экситонного спектра в реальных полупроводниках становятся с температурой тем шире, чем больше номер экси-тонной линии, вследствие чего происходит взаимное наложение линий при п 2 при не очень низких температурах. [6]
С ростом температуры газа дискретные линии или полосы излучения, находящиеся в области коротких длин волн, дают более существенный вклад в энергию излучения, так как максимум кривой распределения черного тела при этом смещается в область коротких длин волн. При температурах, представляющих интерес в связи с исследованиями равновесной лучистой теплопередачи в камерах сгорания, только переходы, соответствующие инфракрасным колебательно-вращательным полосам, дают значительные вклады в наблюдаемый поток энергии излучения. [7]
 |
Спектр видеосигнала. [8] |
В случае движущегося изображения дискретные линии размываются в полосы. Структура спектра определяется частотами / 2 и / ц ( п ара метры р а з л о - ж е ц и я), а вид изображения обусловливается лишь относит, амплитудами Apq компонентов спектра. [9]
В этом случае излучение дискретных линий или искривление щели не оказывают существенного влияния. Для умеренных температур в видимой области спектра измеренная яркость при К пропорциональна CjA - 5exp ( - с % / КТКр. [10]
Энергетический спектр гамма-излучения имеет характер дискретных линий, как правило, в широком диапазоне энергий и с различной относительной интенсивностью. [11]
В случае запрещенных переходов интенсивность экситонных дискретных линий как для прямых, так и для непрямых переходов спадает по закону: Iп - - ( п2 - 1) / л6, а в области сплошного спектра также наблюдается соответствующее изменение. [12]
Тонкая структура линии рэлеевского рассеяния содержит дискретные линии, обусловленные рассеянием на тепловых волнах ( рассеяние Мандельштама-Бриллюэна), расположенные симметрично относительно несмещенной компоненты. Рассеяние с изменением частоты связано с тем, что диэлектрическая восприимчивость х ( а также диэлектрическая проницаемость е 1 х) изменяется во времени вследствие тепловых акустических волн в веществе, характерная частота этих изменений равна va - и / la, где и и а - скорость звука и постоянная решетки. Рассеяние с появлением спектральных компонент, смещенных по частоте относительно исходного излучения, является параметрическим процессом. Вероятность появления одного рассеянного фотона при облучении одной частицы ( молекулы или атома) пропорциональна плотности потока квантов в пучке падающего света, но коэффициент пропорциональности ( сечение рассеяния а ] составляет по порядку величины всего лишь 10 - 30 см2 / ср. Отсюда получаем, что отношение интенсивности рассеянного света / s к интенсивности падающего / о составляет Is / IQ - 4тгет / 1, где п - 1022 см-3 - концентрация атомов, h - толщина слоя. При прохождении светом расстояния 1 см в однородном прозрачном твердом теле рассеивается в полный телесный угол ( 4тг стерадиан) примерно IS / IQ - 10 - 7 падающей интенсивности. [13]
Фактор линии учитывает также любые наложения дискретных линий, обусловленных ионизацией остаточного газа или любыми другими причинами. Факторы F в и FL определяются экспериментально. [14]
Страницы: 1 2 3 4