Дополнительная линия
Cтраница 1
Дополнительная линия вблизи / zv0 соответствует нерезонансному поглощению, обусловленному спин-спиновой релаксацией, которое наблюдается на частотах порядка f lh линия при hv2g H наблюдалась экспериментально ( фиг. [1]
Дополнительная линия с частотой 927 см-1 указывает, что данный тип разветвления находится на краю цепи. [2]
Дополнительные линии ( сателлиты) сопровождают каждую линию первичного ( падающего) света. [3]
Дополнительные линии СМ могут использоваться для связей модулей и передачи-приема информации на внешние разъемы. Асинхронная передача данных обеспечивает максимально возможное быстродействие. [4]
 |
Спектральное распределение коэффициента поглощения света ( а и схема, иллюстрирующая оптический переход, при котором одновременно рождаются экситон и спиновая волна ( б. [5] |
Экспериментально дополнительные линии в оптических спектрах поглощения, интерпретированные как спин-волновые спутники, впервые обнаружили Г. С. Кринчик и другие [132], изучавшие поглощение света в редкоземельных ферритах-гранатах. [6]
Дополнительные линии сопряжения строятся следующим образом. Задаются точкой на бинодальной кривой, например точкой R. [7]
Дополнительные линии идентификации данных ( ДАН-К, ДАН-А) используются для указания того, что требуется передача байта информации, характер которой зависит от типа выполняемой операции и типа У ВВ. [8]
 |
Сравнительные частоты в инфракрасных спектрах для полифениловых эфиров. [9] |
Две дополнительные линии 1132 8 слг1 и 977 2 еж-1 присутствуют только в 1 3-диарилэфи-рах. [10]
Эти дополнительные линии по своему энергетическому положению соответствуют валентным ир-орбиталям галогена. Как показали расчеты [418, 419], эта линия связана с наличием примеси Na 2 / 7 - и К Зр-состояний в волновой функции, описывающей яр-полосу галогена, что подтверждается также экспериментальными относительными интенсивностями линий / CpsAKpi [417]: с ростом электроотрицательности галогена относительная интенсивность сателлита растет от 2 5 % в KJ до 9 2 % в KF - 2H2O, т.е. увеличивается вклад состояний К 2р в волновую функцию, соответствующую в основном лр-состояниям галогена. Следовательно, необходимо учитывать участие внутренних np - оболочек катиона в химической связи. [11]
Эти дополнительные линии относятся к аптифер-ромагнитной сверхструктуре. Хотя, как отмечалось выше, истинная симметрия антиферромагнитной фазы ромбоэдрическая, в первом приближении ее можно рассматривать как кубическую с удвоенными параметрами элементарной ячейки высокотемпературной парамагнитной фазы. [13]
Проведем дополнительные линии уь соединяющие внутренние контуры Г ( и внешний контур Г, тогда область Остановится одно-связной. [14]
Введением дополнительных линий, связанных с имеющимися магнитопроводами ( рис. 14.13), развязывающие резисторы можно включить несимметрично относительно земли. Наконец, по аналогии со схемой рис. 12.9, б, развязывающие резисторы можно подключить через линии, не связанные с магнитопроводами. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5