Cтраница 3
Ранее мы полагали, что все точки объекта должны аппроксимироваться единственной линией. Обратим теперь наше внимание к более общей задаче описания объекта посредством совокупности линий. А именно это означает, что мы должны уметь разделять объект на такие подмножества, что каждое из них может быть хорошо представлено единственной линией. Существует много методов для выполнения этой операции. В следующих пунктах описываются два метода, основанные на кластерном анализе. Идея, лежащая в основе каждого из них, заключается в том, чтобы перевести исходный объект в новое пространство, в котором коллинеарные подмножества объекта образуют группы или кластеры. Эти кластеры затем могут быть найдены, например, с помощью методов кластерного анализа, подобных описанным в гл. [31]
С первого взгляда может казаться, что Q-seisb должна состоять из единственной линии в дентре полосы; однако это не так, ибо часто наблюдается существование определенной тонкой структуры. Этот вопрос будет рассмотрен более полно в следующем параграфе, посвященном взаимодействию колебательного и вращательного движений. [32]
![]() |
Схема спектрометра с изогнутым кристаллом. [33] |
С применением одного кристалла и при строго параллельных пучках регистрируется только одна единственная линия. Для наблюдения волны другой длины следует изменить угол скольжения, повернув плоскость кристалла MN относительно направления падающего пучка рентгеновского излучения и соответственно переместить приемник излучения на вдвое больший угол или же следует применить еще один кристалл, установленный под соответствующим углом к падающему пучку, и еще один приемник излучения. [34]
![]() |
Схема спектрометра с изогнутым кристаллом. [35] |
С применением одного кристалла и при строго параллельных пучках регистрируется только одна единственная линия. Для наблюдения волны другой длины следует изменить угол скольжения, повернув плоскость кристалла M. N относительно направления падающего пучка рентгеновского излучения и соответственно переместить приемник излучения на вдвое больший угол или же следует применить еще один кристалл, установленный под соответствующим углом к падающему пучку, и еще один приемник излучения. [36]
Теории социальной эволюции XIX века часто склонялись к однолинейности, утверждая существование единственной линии развития человеческого общества, от простого к более сложному. Предполагалось, что все общества, восходя по пути эволюции, должны проходить одни и те же стадии развития. Мультилинейные теории предполагают, что возможно существование различных путей развития, ведущих от одного типа общества к другому. Согласно этим взглядам, различные типы обществ могут быть классифицированы в зависимости от уровня их сложности и дифференциации, однако не существует единого пути, проходимого всеми обществами. [37]
Весь секрет здесь в том, что проецирование изображения целой плоскости на единственную линию приводит к сокращению размерности. [39]
Если решение системы уравнений (1.22) существует и единственно, то через каждую точку пространства проходит единственная линия тока, Однако, в некоторых точках поля скоростей условия существования и единственности могут нарушаться. В частности, условия единственности решения могут нарушаться в точках, в которых компоненты вектора скорости обращаются в нуль или бесконечность. [40]
Если решение системы уравнений (1.22) существует и единственно, то через каждую точку пространства проходит единственная линия тока. Однако в некоторых точках поля скоростей условия существования и единственности могут нарушаться. В частности, условия единственности решения могут нарушаться в точках, в которых компоненты вектора скорости обращаются в нуль или в бесконечность. [41]
Сигналы синхронизации для этих типов кристаллов показаны на рис. 19, в и г. Заметим, что единственная линия R / W связана с кристаллом 65S8, следовательно, при операции чтения она имеет высокий уровень, а при записи - низкий. Кристаллом типа Г822 производится выборка данных из области памяти, определяемой адресом на адресной шине после того, как все кристаллы активируются. В случае кристалла типа 6508 стробирование адреса производится по заднему фронту импульса СЕ линии. [42]
![]() |
Область отпечатка пальцев колебательного ИК-спектра. [43] |
Ни одна из этих мод не активна в спектре КР, и поэтому спектр КР состоит нз единственной линии, соответствующей частоте симметричного валентного колебания. [44]
Ни одна из этих мод не активна в спектре КР, и поэтому спектр КР состоит нз единственной линии, соответствующей частоте - симметричного валентного колебания. [45]