Блоховская линия
Cтраница 2
Сопоставление хода кривых V ( АЯ) и и0 7 ( АЯ) на рис. 3 и 4 позволяет предположить, что отмечаемое при переходе к аномальному поведению снижение скорости продвижения может быть объяснено увеличением числа блоховских линий на поверхности ЦМД. Такое несоответствие ( 2000 и - 40) показывает, что переход к аномальному поведению может быть описан с помощью выражения ( 5) только качественно. По-видимому это обусловлено тем, что предлагаемое моделью Слон-чевского выражение ( 5) не учитывает возможности создания сгустков блоховских линий. [16]
Затем начинается нуклеация следующей пары горизонтальных БЛ, их движение, и в результате получается структура, показанная на рис. 13, в. Теперь горизонтальные 360 -ные блоховские линии захвачены по всему периметру домена, а на противоположных сторонах боковой поверхности образуется пара четырех вертикальных 180 -ных блоховских линий. [17]
Вертикальное движение каждой ГБЛ по поверхности дбменной границы сопровождается образованием двух боковых ВБЛ. Возникающие блоховские линии концентрируются в соответствии с выражением ( 5) на передней и задней ( относительно направления движения) поверхностях ЦМД. Для пояснения сказанного на рис. 1 показано положение центрального направления намагниченности Ms по боковой поверхности ЦМД для разных положений ГБЛ. Знаком ( х) обозначено направление центральной намагниченности от наблюдателя. На рис. 1, а показана начальная стадия продвижения ГБЛ, возникших на поверхности феррит-гранатовой пленки. Процесс образования, продвижения и аннигиляции ГБЛ будет происходить периодически. [18]
Доменные границы могут содержать и еще один тип неоднород-ностей. Дело в том, что блоховская линия тоже может находиться в двух различных состояниях с одинаковой энергией: намагниченность в ее центре может принимать значение MQX и - MQX, что отвечает ( р О и тт. [19]
Указанные представления хорошо описываются экспериментами по анализу жестких ЦМД. Наличие в них большого числа блоховских линий ( до 100) непосредственно установлено методом электронной микроскопии. [20]
Важнейшую роль в описании динамики ЦМД играют блоховские линии. Легко видеть, что добавление блоховской линии в доменную границу ЦМД меняет Д ( / э на тг или - тг, в зависимости от знака линии. [21]
Отступление от правила было объяснено тем, что некоторые блоховские линии в домене могут содержать блоховскую точку. В результате блоховская линия содержит участки разного знака. [22]
Однако магнитные полюса соседних доменов стремятся повернуть вектор 15 доменной границы вблизи поверхности в плоскости ху. Понятно, что это может привести к образованию в границе переходного участка типа блоховской линии, но уже ье вертикальной, а горизонтальной. А генерация, движение и аннигиляция таких горизонтальных блоховских линий в движущейся доменной границе, как показали расчеты Слончевского, оказывают существенное влияние на величину критической скорости ее движения. [23]
Ясно, что возникновение жестких ЦМД может помешать работе некоторых ЦМД-устройств. За счет такой обработки меняется характер магнитной анизотропии вблизи поверхности, что приводит к подавлению блоховских линий. С другой стороны, обсуждаются схемы записи информации, основанные на возможности существования ЦМД в состояниях с различным значением S. В любом случае наличие аномальной динамики является одним из самых неожиданных и удивительных свойств ЦМД. [24]
Претендентами на роль носителя информации в этом случае являются трехмерные внутриобъемные домены или блоховские точки, т.е. точки пересечения двух различных блоховских линий ( см. гл. [25]
Затем начинается нуклеация следующей пары горизонтальных БЛ, их движение, и в результате получается структура, показанная на рис. 13, в. Теперь горизонтальные 360 -ные блоховские линии захвачены по всему периметру домена, а на противоположных сторонах боковой поверхности образуется пара четырех вертикальных 180 -ных блоховских линий. [26]
Числа п могут быть как положительными, так и отрицательными, в зависимости от того, к каким ВБЛ они относятся ( положительным или отрицательным), Под положительными ВБЛ понимают линии, для которых при обходе контура ЦМД намагниченность в центральной части сечения доменной стенки ЦМД плоскостью пленки поворачивается по часовой стрелке. Заметим, что поскольку суммарный поворот намагниченности при обходе контура ЦМД должен быть кратен 2тг, а поворот намагниченности в одной блоховской линии равен тг, то в доменной стенке ЦМД может находиться лишь четное число ВБЛ, т.е. п может быть только четным. [28]
Особый интерес вызывают работы по использованию доменных стенок для устройств функциональной микроэлектроники. Показано, что в тонкой пленке пермаллоя толщиной порядка нескольких сотых микрометра, вдоль которой проходит граница Нееля, при приложении нормально ей магнитного поля заданной напряженности образуются блоховские линии, которые могут свободно перемещаться вдоль доменной стенки. [29]
Хотя блоховские линии могут существовать как в веществах с Q 1, так и с Q 1, мы остановимся на первом случае, соответствующем ЦМД-пленкам. Это связано не только с практической важностью ЦМД-пленок, но и с тем, что в данном случае вклад магнитостатическихполеймал и появляется возможность аналитических оценок структуры и энергии блоховских линий. [30]
Страницы: 1 2 3 4