Cтраница 1
Несмещенная линия - 6438 7А обнаруживается только при наблюдении перпендикулярно магнитному полю и обладает линейной поляризацией. [1]
![]() |
Спектр ЭПР пероксиламиндисульфоната NO2 - при большом усилении. [2] |
Несмещенная линия в высокопольной группе линий наблюдается при 3848 4 Гс. [3]
![]() |
Искровый штатив ( бее крышки.| Интенсивные линии искр в области X 2400 Д. [4] |
Узкие несмещенные линии и чисто линейчатый спектр можно получить, применяя ряд источников, в которых малы концентрации атомов и заряженных частиц. К ним относятся разнообразные источники с низким давлением наполняющего газа. [5]
![]() |
Спектральное распределение интенсивности излучения и поглощения гамма-квантов ядрами атомов в твердом теле. [6] |
Несмещенная линия гамма-излучения ( поглощения) ядер в кристалле должна существовать всегда. Если это отношение для фононных частот и рассматриваемого кристалла и выбранных для опыта радиоактивных ядер ER не намного больше 1, то при Т - О К эффект Мессбауэра должен быть заметным. Помимо широкой полосы, сопровождающейся возбуждением фононов при гамма-излучении, должна появляться узкая ( естественной ширины Г - Н / г) линия, как это показано на рис. 19.2. Чтобы понять характер температурной зависимости относительной интенсивности бесфонон-ной линии, обратимся к классическому описанию эффекта. Тепловые колебания кристаллической решетки, в которую входит излучающий атом, рассматриваются как источник частотной модуляции гамма-излучения посредством эффекта Доплера. Именно этим обстоятельством и объясняется обнаруженное Мессбауэром тепловое ослабление резонансного поглощения гамма-квантов твердой мишенью, содержащей ядра иридия: при повышении температуры интенсивность резонансной линии поглощения излучения уменьшается за счет увеличения фононного крыла. [7]
Узкие несмещенные линии и чисто линейчатый спектр можно получить, применяя ряд источников, в которых малы концентрации атомов и заряженных частиц. К ним относятся разнообразные источники с низким давлением наполняющего газа. [8]
Поскольку несмещенная линия намного интенсивнее линий комбинационного спектра, то, чтобы предотвратить засветку в результате отражения от задней поверхности пленки или пластинки, пользуются противоореольными фотоматериалами. В таких пластинках задняя поверхность покрывается тонким слоем, который хорошо поглощает свет. Если же по характеру поставленной задачи требуется изучить тонкую структуру самих линий комбинационного рассеяния, то, кроме всего прочего, фотоэмульсия должна иметь мелкозернистую структуру. [9]
Для несмещенной линии ( т т) отличен от нуля лишь электрический момент по оси OZ. Следовательно, излучение несмещенной частоты обусловлено диполем, направленным вдоль магнитного поля ffe. Электрический вектор излучения диполя лежит в одной плоскости с самим диполем. Поэтому излучение частоты будет поляризовано так, что плоскость поляризации будет проходить через направление магнитного поля. [10]
![]() |
Схема установки для получения спектров комбинационного рассеяния. [11] |
Интенсивность несмещенной линии в рассеянном свете можно уменьшить, использовав для возбуждения резонансную линию ртути и поставив на пути рассеянного света дополнительную кювету с парами ртути, которая выполняет роль светофильтра с очень узкой полосой поглощения. Но многие вещества разлагаются под действием сильного ультрафиолетового излучения и большей частью работают с линиями ртути, лежащими в видимой области. [12]
Что касается несмещенной линии в спектре рассеяния, то причина ее появления может быть пояснена следующим образом. [13]
Угловое распределение в несмещенной линии дается общими формулами ( 117 25 - 26), относящимися к скалярному рассеянию. Поэтому достаточно вычислить полный коэффициент экстинкции. [14]
Угловое распределение в несмещенной линии дается общими формулами (117.25), (117.26), относящимися к скалярному рассеянию. Поэтому достаточно вычислить полный коэффициент зкстинкции. [15]