Дислокационная линия

Cтраница 3

Схема простого узла.| Схема узла трех дислокаций.| Распад узла трех дислокаций в разнесенный узел с образованием трещины. [31]

Из вышеизложенного видно, что структура дислокационной линии в материале, содержащем лес дислокаций и другие препятствия движению дислокаций, может быть очень сложной. Сложная форма дислокационной линии замедляет ее движение н приводит к дальнейшему усложнению ее формы в процессе движения при увеличении напряжений от внешних нагрузок. [32]

Поскольку центры растворения образуются преимущественно на дислокационной линии, на дислокации формируется ямка, различимая при оптич. [33]

Это позволяет удовлетворительно описать средние перемещения дислокационных линий. Привлечение перегибов к описанию дислокационного движения устраняет трудности теории, связанные с малой величиной амплитуды колебаний прямой дислокации и с возможностью преодоления барьеров Пайерлса при внешних напряжениях, меньших оъ. [34]

Хотя ступенька расположена на краевом сегменте дислокационных линий, этот сегмент может иметь совершенно другую ориентацию по сравнению с исходной линией вследствие огибания в процессе прорезания через частицу, и так как во время деформации этот процесс происходит очень часто, плотность ступенек в движущихся дислокациях двухфазных материалов бывает высокой. В результате интенсивного образования ступенек получается конфигурация дислокаций, которая, согласно Вильсдорфу, приводит к появлению большого количества клубков. Одновременно с ускоренным образованием клубков, последние переплетаются с некоторыми конфигурациями диспергированных частиц, в результате чего появляются большие объемы двухфазных материалов, содержащих такую тяжелую субструктуру, что они практически перестают участвовать в деформационном процессе. Последующее движение дислокаций, по-видимому, ограничено теми участками кристалла, которые практически свободны от субструктуры. Сокращение объема деформируемого материала происходит очень быстро, приводя к деформационному упрочнению, и этот случай становится особенно важным при рассмотрении таких процессов, в которых большую роль играет общий деформируемый объем, например, процессов разрушения и ползучести. [35]

Равновесная конфигура-в дискретных точках плоскости дня дислокационной линии, завис-скольжения. Требуется приложить шей на точечных дефектах. [36]

При сильном аддитивном окрашивании хлористого натрия вдоль дислокационных линий выделяются коллоидальные частицы натрия. Методика состоит в том, что в отколотом блоке кристалла делается углубление, которое заполняется металлическим натрием и закрывается другим отколотым фрагментом. В таком виде кристалл с натрием нагревается в стальном держателе до температуры ненамного меньшей температуры плавления щелочно-галоидного кристалла, выдерживается в течение 1 - 2 час и затем быстро охлаждается. После этого от кристалла откалывают тонкую пластинку и исследуют ее в рассеянном свете. [37]

Гилман и Джонстон [52,55, 58] с успехом исследовали отдельные дислокационные линии в LiF. [38]

Схема однослойного диска вакансий в кристалле с гексагональной плотноупакованной структурой.| Схема схлопывания диска вакансий и образования дислокационной петли, охватывающей дефект упаковки ( J - место обрыва атомной плоскости. [39]

Количественной мерой при этом служит суммарная длина дислокационных линий на единицу объема кристалла g - так называемая плртность дислокаций. [40]

После достижения этой стадии движения радиус кривизны дислокационной линии снова увеличивается. [41]

Пересечение дислокаций с одинаковыми, но противоположно направленными векторами Бюргерса. [42]

Различие между этими видами соединений обусловлено гибкостью дислокационных линий. [43]

Взаимная ориентация единичного вектора касательной к линии дислокации т и направления обхода по контуру L. [44]

Мы сейчас оставляем вне рассмотрения вопрос о дислокационной линии как локальной неоднородности кристалла. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5